日本研究人員最新研究發現, 金屬鉑製成只有2納米厚的超薄膜時, 可以擁有類似矽等半導體的特性. 研究人員認為, 這一發現挑戰了對於半導體材料的傳統認知, 有助於推動相關領域發展.
傳統意義上, 金屬和半導體被嚴格區分, 金屬一般導電性能好, 而半導體介於絕緣體和導體之間, 導電性可受控制. 用矽等常見半導體材料製造的晶體管廣泛應用於各種電子設備中.
京都大學研究小組發現, 在一種名為 '釔鐵石榴石' 的磁性絕緣體上將重金屬鉑製成只有2納米厚的超薄膜時, 它可以像半導體一樣, 通過外部電壓控制電阻.
此外, 研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制 '自旋軌道耦合' 這一效應. 自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用, 在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色. 半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應.
研究小組稱, 這一發現與傳統的固體物理學常識不符, 將有助於電子學和自旋電子學領域的發展. 這一研究成果已發表在新一期英國《自然·通訊》雜誌上.
