iMobile手機之家, 8月10日消息 近日, 在美國舉行的Flash Memory Summit上, SK海力士除了講解了CTF (電荷捕獲型) 與Floating Gate (浮柵型) 兩種技術路線的差別, 還宣布推出自家4D快閃記憶體.
圖片來源於網路
根據現場的技術演示文檔, 基於CTF的4D NAND將外圍電路放置在了存儲單元下方, 在晶片面積, 成本控制方面會有更大的優勢.
而性能表現方面, 目前第一款4D NAND型號為V5 512Gb TLC, 晶片面積11.5mm*13mm, 採用了96層堆疊, I/O速度達到1.2Gbps, 預計將會在今年第4季度出樣, 性能相比於V4 3D有明顯提升, 在面積減小20%的前提下讀寫速度分別提升了30%和25%.
圖片來源於網路
BGA封裝TLC顆粒容量可以達到1Tb (128GB) , 模組最大支援2TB, 在2.5寸規格的U.2中可以做到64TB, 預計將於2019年前半年出樣.
iMobile手機之家, 8月10日消息 近日, 在美國舉行的Flash Memory Summit上, SK海力士除了講解了CTF (電荷捕獲型) 與Floating Gate (浮柵型) 兩種技術路線的差別, 還宣布推出自家4D快閃記憶體.
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根據現場的技術演示文檔, 基於CTF的4D NAND將外圍電路放置在了存儲單元下方, 在晶片面積, 成本控制方面會有更大的優勢.
而性能表現方面, 目前第一款4D NAND型號為V5 512Gb TLC, 晶片面積11.5mm*13mm, 採用了96層堆疊, I/O速度達到1.2Gbps, 預計將會在今年第4季度出樣, 性能相比於V4 3D有明顯提升, 在面積減小20%的前提下讀寫速度分別提升了30%和25%.
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BGA封裝TLC顆粒容量可以達到1Tb (128GB) , 模組最大支援2TB, 在2.5寸規格的U.2中可以做到64TB, 預計將於2019年前半年出樣.
