iMobile手机之家, 8月10日消息 近日, 在美国举行的Flash Memory Summit上, SK海力士除了讲解了CTF (电荷捕获型) 与Floating Gate (浮栅型) 两种技术路线的差别, 还宣布推出自家4D闪存.
图片来源于网络
根据现场的技术演示文档, 基于CTF的4D NAND将外围电路放置在了存储单元下方, 在芯片面积, 成本控制方面会有更大的优势.
而性能表现方面, 目前第一款4D NAND型号为V5 512Gb TLC, 芯片面积11.5mm*13mm, 采用了96层堆叠, I/O速度达到1.2Gbps, 预计将会在今年第4季度出样, 性能相比于V4 3D有明显提升, 在面积减小20%的前提下读写速度分别提升了30%和25%.
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BGA封装TLC颗粒容量可以达到1Tb (128GB) , 模组最大支持2TB, 在2.5寸规格的U.2中可以做到64TB, 预计将于2019年前半年出样.
iMobile手机之家, 8月10日消息 近日, 在美国举行的Flash Memory Summit上, SK海力士除了讲解了CTF (电荷捕获型) 与Floating Gate (浮栅型) 两种技术路线的差别, 还宣布推出自家4D闪存.
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根据现场的技术演示文档, 基于CTF的4D NAND将外围电路放置在了存储单元下方, 在芯片面积, 成本控制方面会有更大的优势.
而性能表现方面, 目前第一款4D NAND型号为V5 512Gb TLC, 芯片面积11.5mm*13mm, 采用了96层堆叠, I/O速度达到1.2Gbps, 预计将会在今年第4季度出样, 性能相比于V4 3D有明显提升, 在面积减小20%的前提下读写速度分别提升了30%和25%.
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BGA封装TLC颗粒容量可以达到1Tb (128GB) , 模组最大支持2TB, 在2.5寸规格的U.2中可以做到64TB, 预计将于2019年前半年出样.
