新技術可讓金屬鉑 | '化身' | 半導體

新華社東京8月9日電 日本研究人員最新研究發現, 金屬鉑製成只有2納米厚的超薄膜時, 可以擁有類似矽等半導體的特性. 研究人員認為, 這一發現挑戰了對於半導體材料的傳統認知, 有助於推動相關領域發展.

傳統意義上, 金屬和半導體被嚴格區分, 金屬一般導電性能好, 而半導體介於絕緣體和導體之間, 導電性可受控制. 用矽等常見半導體材料製造的晶體管廣泛應用於各種電子設備中.

京都大學研究小組發現, 在一種名為 '釔鐵石榴石' 的磁性絕緣體上將重金屬鉑製成只有2納米厚的超薄膜時, 它可以像半導體一樣, 通過外部電壓控制電阻.

此外, 研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制 '自旋軌道耦合' 這一效應. 自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用, 在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色. 半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應.

研究小組稱, 這一發現與傳統的固體物理學常識不符, 將有助於電子學和自旋電子學領域的發展. 這一研究成果已發表在新一期英國《自然·通訊》雜誌上.

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