東芝96層QLC快閃記憶體明年量產: 1500次P/E, M.2可到20TB

在此次快閃記憶體峰會上, 東芝Keynote的重點是BiCS4 Flash, 也就是QLC快閃記憶體. BiCS4即第四代BiCS 3D快閃記憶體, 從BiCS3的64層堆疊提升到96層. 時間節點和技術指標方面, BiCS4 QLC快閃記憶體將從明年開始量產, 單晶片的容量可達1.33Tb, 基於U.2形態的模組可以做到85TB, 基於M.2 22110可以做到20TB, 相當恐怖.

大家關心的耐用性方面, 東芝也將BiCS4 QLC產品的P/E (可編程/擦寫迴圈) 從理論的1000次提升到1500次, 為傳統TLC的一半, 相信只要價格給力, 肯定會討好消費者.

當然, 在 '硬貨' 方面, 東芝祭出了XL-Flash, 通過對存儲單元結構進行調整, 即更短的bitline (位線, 垂直方向) 和wordline (字線, 水平方向) , 使得讀取延遲降低到當下TLC的1/10. XL-Flash早期均採用SLC, 後期將擴展到MLC. 從這個角度看的話, XL-Flash和三星的Z系列SSD比較像, 都是和Intel傲騰競爭的高端品.