东芝96层QLC闪存明年量产: 1500次P/E, M.2可到20TB

在此次闪存峰会上, 东芝Keynote的重点是BiCS4 Flash, 也就是QLC闪存. BiCS4即第四代BiCS 3D闪存, 从BiCS3的64层堆叠提升到96层. 时间节点和技术指标方面, BiCS4 QLC闪存将从明年开始量产, 单芯片的容量可达1.33Tb, 基于U.2形态的模组可以做到85TB, 基于M.2 22110可以做到20TB, 相当恐怖.

大家关心的耐用性方面, 东芝也将BiCS4 QLC产品的P/E (可编程/擦写循环) 从理论的1000次提升到1500次, 为传统TLC的一半, 相信只要价格给力, 肯定会讨好消费者.

当然, 在 '硬货' 方面, 东芝祭出了XL-Flash, 通过对存储单元结构进行调整, 即更短的bitline (位线, 垂直方向) 和wordline (字线, 水平方向) , 使得读取延迟降低到当下TLC的1/10. XL-Flash早期均采用SLC, 后期将扩展到MLC. 从这个角度看的话, XL-Flash和三星的Z系列SSD比较像, 都是和Intel傲腾竞争的高端品.