集微網消息, 今日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM. 據悉, 該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來前所未有的I/O高性能, 更高的存儲密度, 以及更短的產品上市周期. 同時, 該技術可應用於智能手機, 個人計算, 數據中心和企業應用等領域, 並將開啟高性能, 定製化NAND解決方案的全新篇章.
目前, 長江存儲已成功將Xtacking TM技術應用於其第二代3D NAND產品的開發, 該產品預計於2019年進入量產階段.
據長江存儲介紹, 採用XtackingTM, 可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路. 這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝, 以讓NAND獲取更高的I/O介面速度及更多的操作功能. 存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工. 當兩片晶圓各自完工後, 創新的XtackingTM技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses, 垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路, 而且只增加了有限的成本.
傳統3D NAND架構中, 外圍電路約佔晶片面積的20~30%, 降低了晶片的存儲密度. 隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高, 外圍電路可能會佔到晶片整體面積的50%以上. XtackingTM技術將外圍電路置於存儲單元之上, 從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度.
XtackingTM技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢, 實現了並行的, 模組化的產品設計及製造, 產品開發時間可縮短三個月, 生產周期可縮短20%, 從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間. 此外, 這種模組化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND快閃記憶體的定製化提供了可能.
快閃記憶體和固態硬碟領域的知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong認為, 隨著3D NAND更新換代, 在單顆NAND晶片存儲容量大幅提升後, 要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難. 若要推動SSD性能繼續提升, 更快的NAND I/O速度及多plane並行操作功能將是必須的.
此外, 長江存儲CEO楊士寧博士表示, 目前, 世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps, 而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度. 利用XtackingTM技術有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps, 與DRAM DDR4的I/O速度相當. 這對NAND行業來講將是顛覆性的.
值得一提的是, 紫光集團聯席總裁刁石京近日透露, 中國首批擁有自主智慧財產權的32層3D NAND快閃記憶體晶片將於今年第四季度實現量產. 同時, 刁石京介紹, 目前, 晶片生產設備正在進行安裝調試, 今年第四季度, 32層3D NAND快閃記憶體晶片將在一號晶片生產廠房進行量產. 此外, 64層3D NAND快閃記憶體晶片研發也在緊鑼密鼓地進行, 計劃2019年實現量產.