集微网消息, 今日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM. 据悉, 该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能, 更高的存储密度, 以及更短的产品上市周期. 同时, 该技术可应用于智能手机, 个人计算, 数据中心和企业应用等领域, 并将开启高性能, 定制化NAND解决方案的全新篇章.
目前, 长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发, 该产品预计于2019年进入量产阶段.
据长江存储介绍, 采用XtackingTM, 可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路. 这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺, 以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能. 存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工. 当两片晶圆各自完工后, 创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses, 垂直互联通道)将二者键合接通电路, 而且只增加了有限的成本.
传统3D NAND架构中, 外围电路约占芯片面积的20~30%, 降低了芯片的存储密度. 随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高, 外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上. XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上, 从而实现比传统3D NAND更高的存储密度.
XtackingTM技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势, 实现了并行的, 模块化的产品设计及制造, 产品开发时间可缩短三个月, 生产周期可缩短20%, 从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间. 此外, 这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能.
闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为, 随着3D NAND更新换代, 在单颗NAND芯片存储容量大幅提升后, 要维持或提升相同容量SSD的性能将会越来越困难. 若要推动SSD性能继续提升, 更快的NAND I/O速度及多plane并行操作功能将是必须的.
此外, 长江存储CEO杨士宁博士表示, 目前, 世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps, 而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度. 利用XtackingTM技术有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps, 与DRAM DDR4的I/O速度相当. 这对NAND行业来讲将是颠覆性的.
值得一提的是, 紫光集团联席总裁刁石京近日透露, 中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产. 同时, 刁石京介绍, 目前, 芯片生产设备正在进行安装调试, 今年第四季度, 32层3D NAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产. 此外, 64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行, 计划2019年实现量产.