非易失磁阻式RAM推進到單晶片1Gb: 記憶體/硬碟加速統一

計算機界一直在探索NVRAM, 即在保留DRAM速度快, 延時低 (納秒級) 優勢的情況下, 做到永固數據. 目前基於NAND的SSD是向NVRAM過渡的產物之一, 業內還有鐵電RAM (FRAM), 磁阻式RAM(MRAM), 電阻式RAM (ReRAM) 以及Intel已經商用化的相變RAM (PCRAM) 即3D Xpint技術形態.

MRAM近年來受到的關注度很高, Everspin (飛思卡爾子公司) 開發完成後 (STT-MRAM, 自旋力矩轉移MRAM) , 三星, 美光, 高通, 東芝等都在跟進. MRAM與NAND的主要不同體現在結構原理, 前者依賴的是不同的磁性取向來存儲資訊 (諾獎巨磁阻效應) , 後者則是電荷存儲資訊, 電荷存儲的主要問題是需要以較高的電壓完成寫入, 且可靠性隨時間逐漸損耗.

對比之下, MRAM不僅可靠性/耐用性大大提升, 同時依然可以維持納秒級的低時延.

據Anandtech報道, Everspin目前生產的MRAM單晶片是256Mb, 年底將試樣1Gb (128MB) , 基於GF的22nm FD-SOI工藝.

與此同時, IBM宣布, 將在今天開幕的快閃記憶體峰會上展示FlashCore系列新品SSD, 容量19.2TB, 基於3D TLC快閃記憶體 (64層) , 主控為FPGA晶片, 緩存用的是Everspin的MRAM, 大小128MB.

IBM表示, FPGA主控配合傳統的DRAM不能提供更好的寫入加速, 壽命很低, 所以選擇了Everspin的MRAM.

這款SSD採用U.2介面, 支援NVMe規範, 可走PCIe 4.0通道.