中新社記者 張斌 攝
據悉, 長江存儲於2017年成功研發中國首顆32層三維NAND快閃記憶體晶片, 並獲得中國電子資訊博覽會(CITE2018)金獎.
這顆晶片, 耗資10億美元, 由1000人團隊曆時2年自主研發, 是中國主流晶片中研發製造水平最接近世界一流的高端存儲晶片, 實現了中國存儲晶片 '零' 的突破.
刁石京介紹, 目前, 晶片生產設備正在進行安裝調試, 今年第四季度, 32層三維快閃記憶體晶片將在一號晶片生產廠房進行量產. 此外, 64層三維快閃記憶體晶片研發也在緊鑼密鼓地進行, 計劃2019年實現量產.
刁石京表示, 中國晶片技術落後於世界, 但自主研發的腳步始終沒有停止, 兩代晶片實現量產後將縮短與美國, 日本, 韓國等國家在存儲晶片上的差距.
據悉, 長江存儲由紫光集團聯合國家整合電路產業投資基金, 湖北整合電路產業投資基金, 湖北省科技投資集團共同投資建設, 負責國家存儲器基地項目.
根據規劃, 至2023年, 基地產能將達到每月30萬片, 並形成設計, 測試, 封裝, 製造, 應用等上下遊集群.