中新社记者 张斌 摄
据悉, 长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片, 并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖.
这颗芯片, 耗资10亿美元, 由1000人团队历时2年自主研发, 是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片, 实现了中国存储芯片 '零' 的突破.
刁石京介绍, 目前, 芯片生产设备正在进行安装调试, 今年第四季度, 32层三维闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产. 此外, 64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行, 计划2019年实现量产.
刁石京表示, 中国芯片技术落后于世界, 但自主研发的脚步始终没有停止, 两代芯片实现量产后将缩短与美国, 日本, 韩国等国家在存储芯片上的差距.
据悉, 长江存储由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金, 湖北集成电路产业投资基金, 湖北省科技投资集团共同投资建设, 负责国家存储器基地项目.
根据规划, 至2023年, 基地产能将达到每月30万片, 并形成设计, 测试, 封装, 制造, 应用等上下游集群.