英飛淩工業電源控制事業處大中華區應用與系統總監馬國偉指出, 相較於Si功率半導體, SiC裝置更為節能; 且由於被動元件的體積縮小, 因此提供更高的系統密度. 除了電動車之外, SiC未來幾年將會更加普及於各種應用領域, 像是光電, 機器人, 工業電源供應, 牽引設備及變速馬達等. 英飛淩將持續以SiC溝槽式(Trench)技術推出CoolSiC MOSFET系列產品, 提供高性能, 高可靠性, 以及高功率密度且具成本效益的解決方案.
馬國偉進一步說明, 以往的MOSFET多採用平面的方式設計, 此一方式在導通狀態下, 需要在性能及閘極氧化層可靠性之間作取捨; 但使用溝槽式技術後, 在不違反閘極氧化層可靠性的條件下, 可更容易達到高性能的要求. 換言之, 運用溝槽式技術, 可實現更佳的閘極氧化層可靠性, 達到矽(Si)材料開關元件無法達到的開關效率, 進而減小整體系統的體積和提高功率密度.
據悉, 為布局SiC應用市場, 英飛淩於2017年便已發布CoolSiC模組 'EASY 1B' , 更於2018德國紐倫堡電力電子系統及元器件展(PCIM Europe)再推出一系列CoolSiC產品, 包括半橋式拓撲CoolSiC模組 'EASY 2B' , 以及採用62mm半橋式技術的CoolSiC模組.
2017年發表的EASY 1B導通電阻僅45mΩ, 適用於馬達驅動, 太陽能或焊接技術領域; 而新推出的EASY 2B模組, 每個開關的導通電阻為8mΩ, 適用於50kW以上及快速切換操作的應用, 包括太陽能變頻器, 快速充電系統或不斷電系統解決方案. 至於62mm半橋式技術模組, 則具備更高功率, 其每個開關的導通電阻僅6mΩ, 有助於實現中功率等級系統的低電感連接, 可在各種不同的應用領域中發揮作用, 包括醫療技術或鐵道用輔助電源供應等.
馬國偉透露, 目前該公司旗下的CoolSiC MOSFET會先以1200V的產品為主, 因為在工業應用市場, 1200V是最常見的電壓; 當然, 該公司也會持續推出相關解決方案, 依照不同應用需求研發1200V以上/以下, 體積更小, 導通電阻更低的產品.