英飞凌工业电源控制事业处大中华区应用与系统总监马国伟指出, 相较于Si功率半导体, SiC装置更为节能; 且由于被动元件的体积缩小, 因此提供更高的系统密度. 除了电动车之外, SiC未来几年将会更加普及于各种应用领域, 像是光电, 机器人, 工业电源供应, 牵引设备及变速马达等. 英飞凌将持续以SiC沟槽式(Trench)技术推出CoolSiC MOSFET系列产品, 提供高性能, 高可靠性, 以及高功率密度且具成本效益的解决方案.
马国伟进一步说明, 以往的MOSFET多采用平面的方式设计, 此一方式在导通状态下, 需要在性能及闸极氧化层可靠性之间作取舍; 但使用沟槽式技术后, 在不违反闸极氧化层可靠性的条件下, 可更容易达到高性能的要求. 换言之, 运用沟槽式技术, 可实现更佳的闸极氧化层可靠性, 达到硅(Si)材料开关元件无法达到的开关效率, 进而减小整体系统的体积和提高功率密度.
据悉, 为布局SiC应用市场, 英飞凌于2017年便已发布CoolSiC模组 'EASY 1B' , 更于2018德国纽伦堡电力电子系统及元器件展(PCIM Europe)再推出一系列CoolSiC产品, 包括半桥式拓扑CoolSiC模组 'EASY 2B' , 以及采用62mm半桥式技术的CoolSiC模组.
2017年发表的EASY 1B导通电阻仅45mΩ, 适用于马达驱动, 太阳能或焊接技术领域; 而新推出的EASY 2B模组, 每个开关的导通电阻为8mΩ, 适用于50kW以上及快速切换操作的应用, 包括太阳能变频器, 快速充电系统或不断电系统解决方案. 至于62mm半桥式技术模组, 则具备更高功率, 其每个开关的导通电阻仅6mΩ, 有助于实现中功率等级系统的低电感连接, 可在各种不同的应用领域中发挥作用, 包括医疗技术或铁道用辅助电源供应等.
马国伟透露, 目前该公司旗下的CoolSiC MOSFET会先以1200V的产品为主, 因为在工业应用市场, 1200V是最常见的电压; 当然, 该公司也会持续推出相关解决方案, 依照不同应用需求研发1200V以上/以下, 体积更小, 导通电阻更低的产品.