黃春來認為, 多晶鑄錠矽片產品技術優勢為高產能, 低光衰, 低封裝損失; Cz單晶產品轉換效率高, 位錯密度低, 可以採用堿制絨工藝, 採用鑄錠方法生產的單晶矽片兼具二者技術優勢. 下遊客戶使用反饋, 疊加PERC技術後, 鑄錠單晶與Cz單晶效率差僅為0.18%, 而成本大幅降低.
'鑄錠單晶產品的低光衰源於鑄錠工藝特性和摻鎵技術' , 黃春來表示, 數據顯示, 常規硼摻雜鑄錠單晶矽片的氧含量僅為Cz單晶矽片的40%, 可顯著降低硼氧複合導致的光致衰減; 另一方面, 鑄錠單晶通過採用鎵元素部分代替硼元素, 可以從源頭上減少硼氧複合體的產生, 光衰比Cz單晶產品低0.5%以上, 長期發電量更高.
黃春來表示, 鑄錠單晶矽片還可以更好的相容下遊終端產品, 其平台技術可自由疊加半片, 疊瓦, 雙玻雙面等電池和組件技術, 由於不存在缺角, 半片組件比Cz單晶組件更美觀; 在不允許缺角的疊瓦組件製造時, 其矽片面積100%可利用, 比Cz單晶面積大2%. 高效鑄錠單晶組件 (60片) 可以封裝到310瓦.
以Cz單晶組件為基準, 黃春來測算了鑄錠單晶組件的度電成本. 數據顯示, 在同功率輸出的條件下, 鑄錠單晶組件價格比Cz單晶低0.06元/瓦, 度電成本低0.006元/度.
黃春來介紹, 保利協鑫2011年即開始研究鑄錠單晶技術, 已經發布第三代產品. 目前, 保利協鑫鑄錠熱場工藝, 錠檢設備, 產品品質全面升級, 對稱性熱場, 分段式加熱控制有效降低位錯, 實現高品質整錠單晶. 繼金剛線切黑矽片之後, 鑄錠單晶矽片將成為對市場有重大影響的差異化產品.