黄春来认为, 多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能, 低光衰, 低封装损失; Cz单晶产品转换效率高, 位错密度低, 可以采用碱制绒工艺, 采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势. 下游客户使用反馈, 叠加PERC技术后, 铸锭单晶与Cz单晶效率差仅为0.18%, 而成本大幅降低.
'铸锭单晶产品的低光衰源于铸锭工艺特性和掺镓技术' , 黄春来表示, 数据显示, 常规硼掺杂铸锭单晶硅片的氧含量仅为Cz单晶硅片的40%, 可显著降低硼氧复合导致的光致衰减; 另一方面, 铸锭单晶通过采用镓元素部分代替硼元素, 可以从源头上减少硼氧复合体的产生, 光衰比Cz单晶产品低0.5%以上, 长期发电量更高.
黄春来表示, 铸锭单晶硅片还可以更好的兼容下游终端产品, 其平台技术可自由叠加半片, 叠瓦, 双玻双面等电池和组件技术, 由于不存在缺角, 半片组件比Cz单晶组件更美观; 在不允许缺角的叠瓦组件制造时, 其硅片面积100%可利用, 比Cz单晶面积大2%. 高效铸锭单晶组件 (60片) 可以封装到310瓦.
以Cz单晶组件为基准, 黄春来测算了铸锭单晶组件的度电成本. 数据显示, 在同功率输出的条件下, 铸锭单晶组件价格比Cz单晶低0.06元/瓦, 度电成本低0.006元/度.
黄春来介绍, 保利协鑫2011年即开始研究铸锭单晶技术, 已经发布第三代产品. 目前, 保利协鑫铸锭热场工艺, 锭检设备, 产品品质全面升级, 对称性热场, 分段式加热控制有效降低位错, 实现高品质整锭单晶. 继金刚线切黑硅片之后, 铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品.