長江存儲將展示新型3D NAND快閃記憶體 | I/O速度堪比DDR4

國內廠商使用的NAND快閃記憶體及DRAM記憶體全部來自進口, 去年光是存儲晶片進口就高達896億美元, 目前國內已經布局了三大存儲晶片基帶, 紫光旗下的長江存儲目前專註於3D NAND快閃記憶體研發, 生產.

在今年8月份的FMS國際快閃記憶體會議上, 長江存儲也將首次參加, CEO楊士寧將展示新型3D NAND快閃記憶體結構Xtacking, 號稱I/O介面速度達到了DDR4記憶體的水平, 同時具有業界領先的存儲密度.

根據長江存儲發布的公告, 他 們研發的Xtacking結構3D NAND快閃記憶體, 將具有前所未有的I/O速度, 從而能夠將UFS, SSD硬碟及企業級SSD等產品的性能提升到前所未有的程度.

除了高速度, Xtacking堆棧還實現了NAND與外圍電路的並行處理, 這種快閃記憶體開發和製造工藝的模組化將縮短新一代3D NAND快閃記憶體的上市時間, 並為NAND快閃記憶體產品定製化提供了可能.

目前Xstacking快閃記憶體的具體資訊還沒有公布, 一切還要等楊士寧在8月7日的FMS會議上發表主題演講才能確定.

不過長江存儲所說的I/O介面是指NAND快閃記憶體的介面, 目前NAND快閃記憶體使用的主流介面有Toggle, ONFi, 最新的Toggle 3.0介面速度可達800 MT/s, ONFi 4.0也能達到800MT/s, 不過這兩個介面標準在三星, 美光, 英特爾的3D NAND快閃記憶體上已經少有提及.

長江存儲所說的Xtacking能達到DDR4記憶體的速度指的就是I/O介面, 不過DDR4公認的初始頻率就有2133MT/s, 這個速度確實比ONFi, Toggle介面快得多, 只不過現在這些都還是猜測, 具體還要等長江存儲公開.

Xtacking快閃記憶體應該是長江存儲預研的新技術, 目前還在申請專利 , 對新入NAND市場的公司來說積累技術是個艱苦但又不得不做的階段, 而長江存儲目前及未來量產的3D NAND快閃記憶體似乎並沒有這麼先進, 此前公開展示的還是32層堆棧的64Gb核心快閃記憶體, 之前接到過1萬片晶圓的NAND訂單, 但主要是用來製造8GB存儲卡的, 並不高端.

不過也有消息稱2019年長江存儲真正量產的時候, 生產的3D NAND快閃記憶體將是64層堆棧的, 這樣一來技術水平跟三星, 美光, 東芝等公司將縮短到2-3年時間.

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