国内厂商使用的NAND闪存及DRAM内存全部来自进口, 去年光是存储芯片进口就高达896亿美元, 目前国内已经布局了三大存储芯片基带, 紫光旗下的长江存储目前专注于3D NAND闪存研发, 生产.
在今年8月份的FMS国际闪存会议上, 长江存储也将首次参加, CEO杨士宁将展示新型3D NAND闪存结构Xtacking, 号称I/O接口速度达到了DDR4内存的水平, 同时具有业界领先的存储密度.
根据长江存储发布的公告, 他 们研发的Xtacking结构3D NAND闪存, 将具有前所未有的I/O速度, 从而能够将UFS, SSD硬盘及企业级SSD等产品的性能提升到前所未有的程度.
除了高速度, Xtacking堆栈还实现了NAND与外围电路的并行处理, 这种闪存开发和制造工艺的模块化将缩短新一代3D NAND闪存的上市时间, 并为NAND闪存产品定制化提供了可能.
目前Xstacking闪存的具体信息还没有公布, 一切还要等杨士宁在8月7日的FMS会议上发表主题演讲才能确定.
不过长江存储所说的I/O接口是指NAND闪存的接口, 目前NAND闪存使用的主流接口有Toggle, ONFi, 最新的Toggle 3.0接口速度可达800 MT/s, ONFi 4.0也能达到800MT/s, 不过这两个接口标准在三星, 美光, 英特尔的3D NAND闪存上已经少有提及.
长江存储所说的Xtacking能达到DDR4内存的速度指的就是I/O接口, 不过DDR4公认的初始频率就有2133MT/s, 这个速度确实比ONFi, Toggle接口快得多, 只不过现在这些都还是猜测, 具体还要等长江存储公开.
Xtacking闪存应该是长江存储预研的新技术, 目前还在申请专利 , 对新入NAND市场的公司来说积累技术是个艰苦但又不得不做的阶段, 而长江存储目前及未来量产的3D NAND闪存似乎并没有这么先进, 此前公开展示的还是32层堆栈的64Gb核心闪存, 之前接到过1万片晶圆的NAND订单, 但主要是用来制造8GB存储卡的, 并不高端.
不过也有消息称2019年长江存储真正量产的时候, 生产的3D NAND闪存将是64层堆栈的, 这样一来技术水平跟三星, 美光, 东芝等公司将缩短到2-3年时间.
