集微網消息, 近日長江存儲官方透露, 將於8月份在美國首次公布新型3D NAND架構Xtacking, 據稱該技術可將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準, 同時使存儲密度達到行業領先水平, 實現快閃記憶體行業的劃時代躍進.
據長江存儲介紹, Xtacking技術將為NAND快閃記憶體帶來前所未有的超高傳輸速率, 從而將NAND快閃記憶體應用產品, 如UFS, 消費級及企業級SSD的性能提升至全新的高度. 在客戶, 行業夥伴以及標準機構的合力幫助下, Xtacking將為高性能的智能手機, 個人計算, 數據中心和企業應用展開新篇章.
Xtacking技術實現了NAND矩陣與外圍電路的並行加工. 這種模組化快閃記憶體開發和製造工藝將大幅縮短新一代3D NAND快閃記憶體的上市時間, 並使NAND快閃記憶體產品定製化成為可能.
該公司表示, 長江存儲CEO楊士寧博士將於8月份在美國舉行的快閃記憶體峰會 (FMS) 上首次公布Xtacking技術. 不過未透露該技術將於何時投入生產.
長江存儲目前已於2017年研製成功了中國大陸第一顆3D NAND快閃記憶體晶片, 并力爭憑創新實力成為世界一流的3D NAND快閃記憶體產品供應商.
今年5月19日, 集微網曾報道, 長江存儲的首台光刻機已運抵武漢天河機場, 設備相關的海關, 商檢及邊防口岸的相關手續辦理完成後, 即可運至長江存儲的工廠. 據集微網獨家消息, 這台光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機, 售價7200萬美元, 用於14nm~20nm工藝. 這也從側面透露了長江存儲3D NAND快閃記憶體晶片的工藝製程. 這是長江存儲的第一台光刻機, 陸續還會有多台運抵.
同時, 紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國強調, 在生產廠房於去年9月提前一個月封頂, 32 層三維 NAND 快閃記憶體晶片自主研發取得重大突破的基礎上, 現在我們又提前20天實現了晶片生產機台搬入. 未來十年, 紫光計劃至少將投資1000億美元, 相當於平均每年投入100億美元.
紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全透露, 長江存儲的3D NAND快閃記憶體已經獲得第一筆訂單, 總計10776顆晶片, 將用於8GB USD存儲卡產品.
今年底, 基地就將實現國產3D快閃記憶體的小規模量產, 用不了多久就能看到基於國產快閃記憶體的智能手機, SSD固態硬碟. 明年, 長江存儲還將開始64層堆疊快閃記憶體, 單顆容量128Gb(16GB).