集微网消息, 近日长江存储官方透露, 将于8月份在美国首次公布新型3D NAND架构Xtacking, 据称该技术可将NAND传输速率提升至DRAM DDR4相当的水准, 同时使存储密度达到行业领先水平, 实现闪存行业的划时代跃进.
据长江存储介绍, Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率, 从而将NAND闪存应用产品, 如UFS, 消费级及企业级SSD的性能提升至全新的高度. 在客户, 行业伙伴以及标准机构的合力帮助下, Xtacking将为高性能的智能手机, 个人计算, 数据中心和企业应用展开新篇章.
Xtacking技术实现了NAND矩阵与外围电路的并行加工. 这种模块化闪存开发和制造工艺将大幅缩短新一代3D NAND闪存的上市时间, 并使NAND闪存产品定制化成为可能.
该公司表示, 长江存储CEO杨士宁博士将于8月份在美国举行的闪存峰会 (FMS) 上首次公布Xtacking技术. 不过未透露该技术将于何时投入生产.
长江存储目前已于2017年研制成功了中国大陆第一颗3D NAND闪存芯片, 并力争凭创新实力成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商.
今年5月19日, 集微网曾报道, 长江存储的首台光刻机已运抵武汉天河机场, 设备相关的海关, 商检及边防口岸的相关手续办理完成后, 即可运至长江存储的工厂. 据集微网独家消息, 这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机, 售价7200万美元, 用于14nm~20nm工艺. 这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程. 这是长江存储的第一台光刻机, 陆续还会有多台运抵.
同时, 紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国强调, 在生产厂房于去年9月提前一个月封顶, 32 层三维 NAND 闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上, 现在我们又提前20天实现了芯片生产机台搬入. 未来十年, 紫光计划至少将投资1000亿美元, 相当于平均每年投入100亿美元.
紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全透露, 长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单, 总计10776颗芯片, 将用于8GB USD存储卡产品.
今年底, 基地就将实现国产3D闪存的小规模量产, 用不了多久就能看到基于国产闪存的智能手机, SSD固态硬盘. 明年, 长江存储还将开始64层堆叠闪存, 单颗容量128Gb(16GB).