集微網消息 (文/小北) 在整合電路產業上我國的確與美國的差距很大, 中興事件也暴露出了我們的軟肋, 但是從整合電路產業的起步時間來看, 我國其實趕上了 '早班車' .
1956年, 我國提出 '向科學進軍' , 受國外電子器件發展的影響與啟示, 我國提出了要研究半導體科學, 並把半導體技術列為國家四大緊急措施之一. 這是國家角度的第一次正視與重視. 1965年12月, 河北半導體研究所召開鑒定會, 鑒定了第一批半導體管, 並在國內首先鑒定了DTL型 (二極體――晶體管邏輯) 數字邏輯電路. 1966年底, 在工廠範圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產品. 這些小規模雙極型數字整合電路主要以與非門為主, 還有與非驅動器, 與門, 或非門, 或門, 以及與或非電路等, 標誌著中國已經製成了自己的小規模整合電路.
世界上第一塊整合電路於1958年誕生, 由TI研製. 我國整合電路產業發展從1965年算起的話, 與美國的差距也只有7年而已, 比韓國還要早一些. 然而由於 '文革' 等因素, 我國整合電路產業逐漸 '掉隊' .
在 '2018整合電路人才發展高峰論壇' 上, 浙江大學超大規模整合電路設計研究所所長張明教授總結了我國半導體產業的發展曆程: 1, 中國半導體產業從上世紀50年代末60年代初就開始了, 但因為 '文革' 等因素與國際先進水平拉開了差距; 2, 改革開放到90年代, 引進國外技術: '908工程' 引進8英寸生產線, 但是未成功; 3, 2000年, 合資建立中芯國際和宏力, 同時信產部下發《鼓勵軟體產品和整合電路產業發展的若干政策》的 '18號檔案' , 國內湧現第一批晶片設計公司. 4, 2013年, 我國整合電路進口額高達2313億美元, 超過石油成為第一進口商品. 2014年6月中國發布《國家整合電路產業發展推進綱要》, 把發展整合電路上升為國家戰略; 同時成立國家整合電路產業基金, 我國整合電路產業發展進入快車道.
與此同時, 賽迪顧問股份有限公司副總裁李珂表示, 目前我國整合電路產業發展成績斐然, 在封裝測試和晶片設計方面已具備國際競爭實力, 但在處理器等高端晶片, 類比晶片, 光器件, 配套設備材料和工藝, EDA/IP和軟體方面與國際先進水平相比差距依然十分顯著. 他針對各領域的差距做出了總結, 如下:
高端晶片CPU方面, 解決有無問題, 並在特定領域實現應用, 但在民用市場性價比上有待提升. GPU領域, 國內只有景嘉微公司有所布局, 服務特種應用. FPGA方面, 國內的高雲公司和紫光國芯公司的技術水平還較低.
類比晶片類比晶片企業產品集中在中低端產品, 在高電壓, 高頻率, 高性能, 高可靠性方面與美國的差距非常顯著. 射頻器件方面, 國內公司在市場競爭力和器件性能與國際先進水平差距較大. 電力電子器件方面, 國內企業除中車時代電氣公司外, 整體實力較弱.
光器件國內企業的產品以中低端光器件為主, 高端器件95%以上從國外進口, 綜合國產化率不足15%, 全球排名前10的光電子企業中, 只有烽火集團旗下的光迅科技公司排在第5位, 而市場份額只有5%, 在100G光電子收發器市場, 國內企業的市場份額為0.
設備材料我國設備僅在部分品種實現了單點突破, 電漿刻蝕機, MOCVD, 清洗劑等設備已實現國產化, 但尚不具備面向先進工藝的成套工藝能力. 材料方面, 我國目前在8英寸矽片, 金屬靶材, 銅電鍍液, CMP研磨液, 化學試劑等方面具備一定技術實力, 但在面向先進位程工藝的12英寸矽片, 特種氣體, 高純化學試劑等材料方面技術實力依然薄弱.
工藝國內尚處於28nm量產階段, 16/14nm還在研發中, 與英特爾差距至少為3代.
EDA/IP國內基本所有設計企業都依賴進口企業提供的設計工具.
軟體我國基礎軟體差距較大.
張明教授認為, 全球整合電路產業正處於技術變革時期, 未來, 挑戰與機遇並存, 中國半導體產業大有可為.
如今, 新興應用領域為我國半導體的發展帶來新動力. 例如, 物聯網的快速發展, 將帶來產業的深刻變革以及產業服務模式和生態的重構; 人工智慧發展帶來近百億美元晶片市場需求; 5G將成為帶動產業新一輪爆髮式增長重要推動力.