在新產品方面, 長江存儲正在研發64層的3D NAND快閃記憶體, 計劃在2018年年底前推出樣品.
跟長江存儲不同的是, 晉華公司和Innotron主要負責DRAM記憶體晶片的製造. 據說前者已經開始了8Gb LPDDR4記憶體晶片的試生產, 而後者預計明年量產19nm技術生產的8Gb DDR4記憶體晶片.
外界普遍認為, 中國存儲晶片公司逐步擴大產能, 全球記憶體快閃記憶體晶片市場的價格有望出現下降.