在新产品方面, 长江存储正在研发64层的3D NAND闪存, 计划在2018年年底前推出样品.
跟长江存储不同的是, 晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造. 据说前者已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产, 而后者预计明年量产19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片.
外界普遍认为, 中国存储芯片公司逐步扩大产能, 全球内存闪存芯片市场的价格有望出现下降.