最近, Intel, 美光, 西部數據, 東芝紛紛宣布了各自在96層堆疊快閃記憶體, QLC快閃記憶體方面的進展, 而作為全球第一大快閃記憶體廠商的三星電子也不甘示弱, 早先已經宣布量產96層堆疊第五代V-NAND快閃記憶體, 並宣布會在年內推出全球第一款32TB超大容量SSD.
三星去年剛量產64層堆疊第四代V-NAND, 而最新的第五代堆疊層數增加了一半, 減少了晶圓上的物理X, Y尺寸, 性能和功率更高, 並首次採用Toggle DDR 4.0介面, 數據傳輸率可達1.4Gbps, 比上代提升40% .
按照三星的設想, 3D堆疊快閃記憶體未來能超過200層.
三星還透露, 已經首發容量達1Tb(128GB)容量的3D TLC快閃記憶體顆粒, 數據傳輸率1.2Gbps, 並支援32顆堆疊封裝, 從而實現4TB的單顆容量.
三星未來的PM1643系列SSD就將採用這種顆粒, 最大容量能做到32TB(只需八顆晶片), 只需4U空間就能實現以往兩個機櫃的存儲容量.
這種新硬碟將採用 2.5寸規格, SAS介面 , 號稱 隨機讀取性能比上代產品提升2.5倍 , 面向數據中心企業市場.
東芝/西數日前宣布的96層堆疊QLC快閃記憶體可以做到單個封裝晶片2.66TB的容量, 八顆也能實現20TB以上的SSD.
此外, 三星還將面向消費級市場推出QLC SSD, SATA介面, 持續讀寫性能540MB/s, 520MB/s , 但具體型號, 規格, 時間未公布.
理論上, QLC SSD可以輕鬆做到5TB乃至是10TB的大容量, 但首發肯定不會這麼大, 畢竟要考慮消費者的承受能力, 不過照此趨勢下去, 256GB, 512GB SSD明年就能遍地走了.
