最近, Intel, 美光, 西部数据, 东芝纷纷宣布了各自在96层堆叠闪存, QLC闪存方面的进展, 而作为全球第一大闪存厂商的三星电子也不甘示弱, 早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存, 并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD.
三星去年刚量产64层堆叠第四代V-NAND, 而最新的第五代堆叠层数增加了一半, 减少了晶圆上的物理X, Y尺寸, 性能和功率更高, 并首次采用Toggle DDR 4.0接口, 数据传输率可达1.4Gbps, 比上代提升40% .
按照三星的设想, 3D堆叠闪存未来能超过200层.
三星还透露, 已经首发容量达1Tb(128GB)容量的3D TLC闪存颗粒, 数据传输率1.2Gbps, 并支持32颗堆叠封装, 从而实现4TB的单颗容量.
三星未来的PM1643系列SSD就将采用这种颗粒, 最大容量能做到32TB(只需八颗芯片), 只需4U空间就能实现以往两个机柜的存储容量.
这种新硬盘将采用 2.5寸规格, SAS接口 , 号称 随机读取性能比上代产品提升2.5倍 , 面向数据中心企业市场.
东芝/西数日前宣布的96层堆叠QLC闪存可以做到单个封装芯片2.66TB的容量, 八颗也能实现20TB以上的SSD.
此外, 三星还将面向消费级市场推出QLC SSD, SATA接口, 持续读写性能540MB/s, 520MB/s , 但具体型号, 规格, 时间未公布.
理论上, QLC SSD可以轻松做到5TB乃至是10TB的大容量, 但首发肯定不会这么大, 毕竟要考虑消费者的承受能力, 不过照此趋势下去, 256GB, 512GB SSD明年就能遍地走了.
