不過中國反壟斷機構早已著手調查三星, 美光, 海力士是否存在操縱價格, 如果裁定三大巨頭存在價格壟斷行為, 那麼可能罰金將在8億美元-80億美元之間, 相信這也能起到一定的威懾作用. 而現在又傳出消息, 中國的DDR4記憶體, 3D 快閃記憶體晶片等即將量產, 如果屬實, 那意味著國產記憶體, 快閃記憶體從明年開始將會有實質性的成果.
據中國台灣電子時報網站引述業內人士稱, 2019年, 中國大陸地區將有三家存儲晶片廠竣工並投入量產, 它們分別是長江存儲, 福建晉華整合電路公司 (以下簡稱晉華公司) , 以及安徽合肥Innotro存儲公司.
紫光旗下的 YMTC 長江存儲此前對外披露已經獲得了第一個快閃記憶體晶片訂單, 用於生產8GB容量的SD存儲卡, 訂單規模為一萬套32層3D NAND快閃記憶體晶片. 此外, 長江存儲正繼續研發64層3D NAND快閃記憶體, 計劃在2018年年底前推出樣品.
消息人士稱, 到2020年, 長江存儲的快閃記憶體晶片產能將提高到月處理10萬片晶圓. 未來隨著三條生產線全部啟用, 該公司的快閃記憶體月產能將提高到35萬片到40萬片晶圓.
跟長江存儲不同的是, 晉華公司和Innotron主要負責DRAM記憶體晶片的製造. 據說前者已經開始了8Gb LPDDR4記憶體晶片的試生產, 而後者預計明年量產19nm技術生產的8Gb DDR4記憶體晶片.
晉華公司此前表示, 希望在今年底之前, 將晉華和台灣聯華電子共同開發的第一代DRAM記憶體生產工藝投入使用.
不過, 晉華的合作方聯電目前跟美光公司正在打專利戰, 雖然福州法院已經發布針對美光的禁售令, 要求將涉嫌晉華公司專利的26種產品在中國市場停止銷售, 晉華和聯電也算取得初步勝利, 但是最終是否會影響到晉華的投產計劃還是未知數.
最近有報道稱, 合肥Innotron公司已經開始了8Gb LPDDR4記憶體晶片的試生產, 不過該公司官方尚未對外發布消息. 此前Innotron公司對外展示了使用19nm技術生產的8Gb DDR4記憶體晶片工程樣片, 該產品預計於 2018 年底上市, 計劃於 2019 年上半年正式量產.
如果以上消息屬實, 那的確是件好事! 讓大家看見了國產記憶體在研發製造方面的突破. 這也勢必能打破巨頭間的壟斷, 全球記憶體快閃記憶體晶片市場的價格有望出現下降. 不過我們還是需要認清現實, 就比如目前長江存儲的32層3D快閃記憶體的產能產能問題, 晉華/聯電與美光公司的專利戰影響, 以及合肥Innotron公司也沒有證實是否開始正式生產等一系列問題. 但從另一個角度看, 留給國產存儲廠商的進步空間還很大.
無論如何, 夢想還是要有的, 萬一實現了呢? 就比如有業內人士預計, 從2020~ 2021年起, 中國存儲產業將開始取得全球產業話語權......