不过中国反垄断机构早已着手调查三星, 美光, 海力士是否存在操纵价格, 如果裁定三大巨头存在价格垄断行为, 那么可能罚金将在8亿美元-80亿美元之间, 相信这也能起到一定的威慑作用. 而现在又传出消息, 中国的DDR4内存, 3D 闪存芯片等即将量产, 如果属实, 那意味着国产内存, 闪存从明年开始将会有实质性的成果.
据中国台湾电子时报网站引述业内人士称, 2019年, 中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产, 它们分别是长江存储, 福建晋华集成电路公司 (以下简称晋华公司) , 以及安徽合肥Innotro存储公司.
紫光旗下的 YMTC 长江存储此前对外披露已经获得了第一个闪存芯片订单, 用于生产8GB容量的SD存储卡, 订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片. 此外, 长江存储正继续研发64层3D NAND闪存, 计划在2018年年底前推出样品.
消息人士称, 到2020年, 长江存储的闪存芯片产能将提高到月处理10万片晶圆. 未来随着三条生产线全部启用, 该公司的闪存月产能将提高到35万片到40万片晶圆.
跟长江存储不同的是, 晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造. 据说前者已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产, 而后者预计明年量产19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片.
晋华公司此前表示, 希望在今年底之前, 将晋华和台湾联华电子共同开发的第一代DRAM内存生产工艺投入使用.
不过, 晋华的合作方联电目前跟美光公司正在打专利战, 虽然福州法院已经发布针对美光的禁售令, 要求将涉嫌晋华公司专利的26种产品在中国市场停止销售, 晋华和联电也算取得初步胜利, 但是最终是否会影响到晋华的投产计划还是未知数.
最近有报道称, 合肥Innotron公司已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产, 不过该公司官方尚未对外发布消息. 此前Innotron公司对外展示了使用19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片工程样片, 该产品预计于 2018 年底上市, 计划于 2019 年上半年正式量产.
如果以上消息属实, 那的确是件好事! 让大家看见了国产内存在研发制造方面的突破. 这也势必能打破巨头间的垄断, 全球内存闪存芯片市场的价格有望出现下降. 不过我们还是需要认清现实, 就比如目前长江存储的32层3D闪存的产能产能问题, 晋华/联电与美光公司的专利战影响, 以及合肥Innotron公司也没有证实是否开始正式生产等一系列问题. 但从另一个角度看, 留给国产存储厂商的进步空间还很大.
无论如何, 梦想还是要有的, 万一实现了呢? 就比如有业内人士预计, 从2020~ 2021年起, 中国存储产业将开始取得全球产业话语权......