迎接高密度高性能存儲挑戰, 國產存儲控制器如何未雨綢繆?

集微網消息, 7月20日, 21日, 2018全球存儲半導體大會暨全球快閃記憶體技術峰會在武漢光穀召開, 大會以 '構建快閃記憶體新生態' 為主題, 針對全球快閃記憶體和存儲半導體的產業新生態, 行業新熱點, 企業新發展, 進行了全面的分析和解讀.

在本次大會SSD設計與控制技術論壇上, 華瀾微電子總裁駱建軍博士發表了以《快閃記憶體控制器架構》為主題的演講. 從自己將近20年的存儲控制器設計經驗入手, 駱建軍博士為在場的嘉賓分享了華瀾微的存儲控制器經驗. 存儲可靠性第一的前提下, 必須有自己的積累, 包括專利積累, IP積累, 協議積累, 經驗積累, 才能夠做好存儲控制器, 得到客戶的信任. 這些技術基礎不是單靠購買和授權就可以得到, 中國企業需進一步加強 '內功' 修鍊, 重視技術積累. 華瀾微能夠保持出貨量持續高速增長, 並進入國際市場, 也是建立在這一基礎上的.

從快閃記憶體應用最初的USB, SD, CF到今天的NVMe 控制器, 駱建軍博士指出在快閃記憶體控制器架構方面已經有了各種新的變化, 以及新的控制器架構方面將迎接更多挑戰. 所有變化都是為了讓客戶有更可靠的穩定性, 更高的性能和經濟易用性.

首先四代和五代PCIe技術以及更新版本NVMe技術的發展, 能夠為用戶提供更高頻寬和更便捷的應用, 其次, 更加經濟性的快閃記憶體需要用到糾錯性更好的演算法, 如LDPC以及未來更好的糾錯演算法, 第三, 更多企業級產品和細分應用的需求都會對存儲控制器提出更高要求, 如Multi Namespace以及具有計算功能的控制器.

他進一步指出, 未來控制器的發展, 存儲密度導向和性能導向將會是存儲控制器未來發展的重點. 隨著快閃記憶體製造技術從SLC, 2D發展到目前的TLC, QLC和3D, 成本降低的同時, 存儲密度的增高越來越快. 最近幾年, 國際廠商均推出了高密度的固態硬碟, 如何提高存儲密度是控制器發展的重大挑戰. 與傳統HDD製造工藝發展擴展容量困難相比, SSD存儲密度的提高也為數據中心等需要高密度存儲發展提供了很好的解決方案. 在控制器的設計要求方面, 除了需要驅動大量快閃記憶體顆粒帶來尺寸增加外, 晶片引腳的大量增加也為存儲大容量小體積的發展帶來了很多困難.

為此, 內置RAID和SWITCH功能的控制器架構將不僅能夠為密度提高增加幫助, 還將為數據穩定性提供更多的保障, 能夠結合更適合客戶應用的企業級產品特性和適應雲計算大數據應用需求, 將會更好推進國產產品迭代, 推動中國存儲企業進一步領導存儲發展. 這一技術上, 華瀾微在全球發表了多篇論文, 擁有全球專利, 在具體產品實現方面, 華瀾微通過驅動更多快閃記憶體介質的方法將存儲容量提高到2.5英寸標準9mm厚度下的單盤10TB和20TB的高密度, 為全球客戶提供了容量密度方面最優的選擇.

此外, 乙太網介面將會是未來SSD發展的重要裡程, 與今天SSD需要通過其他設備交換數據相比, 未來配備乙太網介面的SSD將會直接替代NAS, 普通伺服器, 而不是現在的SATA, SAS, PCIE介面的SSD. 更進一步, 具有SDS (軟體定義存儲) 功能的乙太網介面SSD, 配合成本越來越低的SDN (軟體定義網路) 的網路交換機, 將會為數據中心, 雲服務, 個人應用提供更加簡單, 可靠以及經濟的數據服務.

另一方面, 在存儲性能的發展上, 多顆DRAM和多顆快閃記憶體的組合以及上層應用系統的配合將會提供各種組合的NVDIMM, 為需要提高更高IOPS和更多複雜功能如邊緣計算, 人工只能演算法植入提供更加有效的配合, 讓未來的存儲變得更加高效, 可靠以及帶來更為廣泛的應用. 如目前各系統廠商正在使用的NVDIMM-N, 未來進一步發展的NVDIMM-P技術等. 在這一發展方向上, 華瀾微也擁有多項專利, 並通過和國際相關組織的交流, 逐步形成自己的技術積累.

目前這一技術雖沒有得到廣泛應用, 但卻是值得國內廠商投入, 且未來具有發展意義的新技術. 駱建軍博士在會上強調, 中國企業需未雨綢繆, 在技術發展初期就介入標準建設, 專利積累. 藉此機會才能與國際廠商一同發展, 憑藉國產廠商獨立的創新性, 結合更多國內規模性的細分應用, 與國際廠商站在同一個起跑線上, 共同建設國際存儲標準, 贏取存儲美好應用的未來.

在存儲關鍵技術的發展方面, 駱建軍博士給出了存儲控制器中發展加密硬體IP的優勢和機遇. 作為2013年就通過國密演算法認證的存儲控制器企業, 華瀾微利用自己高速加密的優勢存儲加密應用上全球出貨量第一, 擁有全球最好的相關廠商客戶, 加密技術帶來的隨機離散型數據例如Homogeneous技術也為數據可靠性提供更好的幫助. 國內廠商通過掌握該技術並結合國內國密演算法的高速加密應用, 能夠為中國存儲控制器企業開啟另外一扇應用的窗口, 並可打破美國AES 256加密演算法晶片的禁錮, 提供國產晶片基礎上和存儲應用的資訊安全.

最後, 作為下月的全球快閃記憶體峰會 (FMS) 組織者之一, 駱建軍博士誠邀現場嘉賓參加在美國矽谷聖塔克拉拉舉辦的FMS, 他坦言希望與本次大會主辦機構共同將FMS帶進中國, 讓國記憶體儲企業有更多與國際同行交流互動的機會. 中國企業要融入國際市場, 通過產業鏈上下遊廠商的有力合作, 建造更加廣泛的存儲應用, 並將具有自己獨立創新性優勢的國內企業推向全球, 讓國產存儲在全球各地的應用中落地開花, 享受到中國存儲帶給他們的美好體驗.

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