1.2018年半導體市場或首超5000億美元,NAND快閃記憶體降價拖累全年增速;
原標題: 2018年全球半導體市場有望首次超過5000億美元, NAND快閃記憶體降價或拖累全年增速
摘要: IC insights 預測2018年全球電子系統市場將增長5%至1.622萬億美元, 全球半導體市場今年預計將增長14%至5091億美元, 這是首次超過5000億美元的水平. 如果2018年的預測實現, 則電子系統中平均半導體含量將達到31.4%, 打破2017年創下的28.8%的曆史紀錄.
集微網消息 (文/Jimmy) , 在即將到來的2018年McClean報告年中更新中, IC insights 預測2018年全球電子系統市場將增長5%, 至1.622萬億美元, 全球半導體市場今年預計將增長14%, 至5091億美元, 有望首次超過5000億美元. 如果2018年的預測實現, 則電子系統中半導體成本將達到31.4%, 打破2017年創下的28.8%的曆史紀錄.
從曆史上看, 與電子系統市場相比, 半導體行業年均增長率較高的背後是用於電子系統的半導體的價值或用量的增加. 由於全球手機, 汽車和個人電腦的出貨量預計將在2018年出現疲軟, 電子系統市場的平穩發展卻出現半導體市場的高增長, 歸因於電子系統中半導體用量的增加.
在過去30年中, 電子系統中半導體用量一直在增加, 2018年電子系統的半導體用量有大幅躍升主要是因為DRAM 和NAND快閃記憶體銷售價格激增以及今年電子系統售價出現增長. IC Insights預計, 從2018年到2022年, 半導體成本占電子系統比例將不會低於30%, 2020年可能會滑落至30.2%, 但2022年將達31.5%, 再次創出新高.
同時值得關注的是, 今年前五個月, 半導體產業的增速都是20%以上, 但IC insight預期全年的增速下降到14%. 這和NAND快閃記憶體降價密切相關.
電子系統中半導體價值越來越高的趨勢是有限度的. 考慮到其他材料與軟體成本, 半導體成本不會漲到100%. 將來, 當半導體成本佔比接近極限時, 半導體產業增長率也將於系統設備市場增長率極為接近, 例如每年增長4%到5%. (校對/樂川)
2.自駕驅動2020年每輛汽車晶片用量達1500美元,FD-SOI成一大贏家?;
原標題: 自動駕駛驅動2020年每輛汽車晶片用量達1500美元, FD-SOI成為一大贏家?
摘要: 諸如新興的ADAS, 車聯網, 資訊娛樂系統, 動力系統等涉及的晶片或感測器等均可採用FD-SOI工藝, FD-SOI在汽車當中的應用十分廣泛. 為了自強自立, 國內顯然亦需要發展FD-SOI技術.
集微網報道 (文 艾檬) 在今日舉辦的青城山中國IC生態高峰論壇上, 自動駕駛成為最熱的話題, 雖然全產業鏈上下遊齊齊發力, 但其實最大的贏家之一還是FD-SOI生態圈 '夥伴' , 這又是為何?
自動駕駛成一大推手
當半導體工藝製程發展到22納米時, 為了滿足性能, 成本和功耗要求, 延伸發展出FinFET和FD-SOI兩種技術. 由於半導體龍頭英特爾主導推廣FinFET技術, 並得到晶圓代工大廠台積電的支援, 使得FinFET技術大行其道. 不過, 最近幾年FD-SOI工藝越來越受業界關注, 格芯, 三星, 索尼, ST, 芯原微電子等產業廠商在FD-SOI技術上的投入越來越大, 其技術優勢和應用前景也越發地被看好.
全球FD-SOI產業聯盟主席Carlos Mazure 分享了相關數據. 他表示, 汽車市場在不斷地增長, 增速非常快, 全球平均為八點多, 而中國的增長速度更快, 達到12.4%. 預計到2020年, 平均每輛汽車上的晶片將會達到1500美元.
從相關資料來看, 一方面, FD-SOI的優勢之一為採用正向體偏壓技術 (FBB) , 可以用軟體控制實現功耗, 性能動態平衡, 而且易於整合RF如收發器以及非易失性存儲單元, 在汽車電子等領域有獨特優勢. 另一方面, 汽車智能化, 網聯化使邊緣AI及分布式AI成為必須, 需要更高性能更低功耗; 5G日益成熟, 需要RF高整合; 汽車ADAS需要雷達整合降低成本等, FD-SOI技術優勢與應用需求成功 '對接' , 使得FD-SOI迎來最好時光.
OEM廠商參與以優化底層架構
經過多年的發展, FD-SOI的生態圈已涵蓋工具廠商, IP廠商, 設計服務廠商, 晶片廠商, 製造廠商等, 以提供易於獲取的即插即用方案, 從而最大限度降低客戶成本.
而FD-SOI有更長遠的目標. Carlos Mazure表示, 為使得不同的元素能夠積聚, 使整個生態圈共同作出決策, 實現各方的利益, 前不久有機會邀請了奧迪闡述他們的需求. Carlos Mazure提到, 奧迪認為功耗是汽車電子需要突破的主要障礙, 因而提出了一個三層架構, 最基本是感測制動層, 然後是可擴展的計算, 最後是無縫的Car2X 數據整合.
Carlos Mazure分析說, 奧迪, 穀歌, 蘋果等是從產業鏈從上往下走, 讓他們接觸基礎架構, 這可讓他們能夠更好地參與到整個鏈條中來, 共同對底層架構系統進行優化, 實現自動駕駛和智能網聯. 未來AI, 5G和智能駕駛是緊密耦合的, 這將極大地促進FD-SOI的發展.
格芯汽車電子物聯網與網路業務發展副總裁Mark Granger亦提到, 格芯將在成都加大投入助力成都成為FD-SOI關鍵產業基地. 目前在生態建設方面, 格芯和成都市政府合作已經有75個合作夥伴, 可提供150個IP項目, 實現從設計IP到技術上的支援, 不斷拓展.
技術不斷推進
自動駕駛既承載了FD-SOI的厚望, 同時也提出了更高的要求, 比如更加嚴格的標準, 更加新興技術的融合等等.
Mark Granger對此提到, 格芯專註於汽車的Autopro技術方案已開發了十年, 對於IS26262, AEC-Q100等新標準, 都進行過相關的認證, 讓產品實現更好的安全性和可靠性; 高壓BCD, 毫米波雷達等技術的整合, 以及降低成本和功耗, 格芯的22FDX技術都已可應對.
'FD-SOI已經累計開發20億美元產品. ' Mark Granger提到. 當然, Mark Granger也坦言, 為了實現零缺陷, 零漂移, 以及更好的可行性和安全性, 這仍是一個非常大的挑戰, 需要集合合作夥伴的智慧和力量.
對於FD-SOI的潛力, 國內也應加緊備戰. 國內半導體產業專家莫大康曾撰文指出, 圍繞FD-SOI已經形成了工藝研究, 晶圓製造, IP, 代工廠, IC設計服務公司, IC設計公司的完整產業鏈. 莫大康認為, 中國半導體業處在一個特殊的環境中, 為了自強自立, 顯然亦需要發展FD-SOI技術, 這一點是無疑的. 尤其是在趕超國外同行的過程中, FD-SOI技術可能是最為靠譜的技術之一. 中國半導體業已有一些廠商涉足FD-SOI, 相信後續會有更加驚豔的表現.
3.韓國擬加大晶片項目支援力度 應對中國對手挑戰;
新浪科技訊 北京時間7月20日晚間消息, 韓國貿易, 工業和能源部長白雲揆(Paik Un-gyu)日前表示, 韓國政府將加大對大型研發項目的支援, 以開發尖端記憶體晶片, 應對中國競爭對手的崛起.
當前, 晶片是韓國最大的出口產品, 而中國是全球最大的晶片市場. 但由於中國計劃投入巨額資金來推動本國晶片產業的發展, 以降低對國外產品的依賴, 導致業界對韓國晶片產業的長期前景感到擔憂.
為此, 白雲揆日前在韓國國民大會小組會議期間表示: '政府正考慮支援設計及生產下一代存儲晶片的大型項目, 並計劃在今年下半年進行初步可行性研究'
雖然三星電子和SK海力士等韓國科技巨頭已經通過技術創新開發出了世界級記憶體晶片產品, 但仍有專家呼籲韓國政加大對該行業的關注, 以應對快速崛起的中國競爭對手的挑戰.
事實上, 韓國本土晶片製造商也擔心, 中國政府的舉措可能會以比預期更快地速度縮小與韓國的技術差距. 屆時, 如果產量得不到謹慎控制, 將導致全球晶片價格暴跌.
白雲揆說: '中國正加緊發展自己的半導體產業, 以縮小與韓國的差距, 這可能導致全球供應過剩. 近期, 記憶體晶片價格增速已經有所放緩, 導致一些人認為 '超級周期' 正接近頂峰. ' (李明)
4.三星: 2020年開發3納米製程, 晶片設計費將高達15億;
三星電子先前發布, 到2020年開發3納米Foundry製程. 據分析稱3納米Foundry製程晶片設計費用將高達15億美金. 雖晶片設計費用的增長倍數極高, 但據專家分析稱其電流效率和性能提升幅度並沒有與費用成正比, 而且考慮到高額的費用, 能設計3納米工程的企業屈指可數.
7月17日半導體市調機構International Business Strategy (IBS) 分析稱3納米晶片工程的晶片設計費用將高達4億至15億美金. IBS說明, 在設計複雜度相對較高的GPU等晶片設計費用最高. 該公司資料顯示28納米晶片的平均設計費用為5130美金, 而採用FinFET技術的7納米晶片設計費用為2億9780萬美金, 是將近6倍的漲幅. 半導體晶片的設計費用包含IP, Architecture, 檢查, 物理驗證, 軟體, 試產品製作等費用.
這也是半導體行業Fabless工廠一直青睞16納米FinFET和三星的14納米FinFET製程的理由. 對Foundry廠商來說成本也是頗為傷腦筋的事情, 不僅如此3納米製程難度也頗高.
三星電子的3納米製程將首次使用GAAE(Gate-All-AroundEarly), GAAP(Gate-All-Around Plus)技術, 並起名為MBCFET(MultiBridge Channel FET). 技術的核心為確保每個Gate通道的電流存在. 若FinFET結構為3面電流, GAA為Gate的所有面都要確保有電流, 電流通道變大後隨之性能也將提升.
三星電子的MBCFET技術為美國IBM和GF共同開發. 若FinFET為魚鱗狀的Gate豎向排列的話, GAA為Gate橫向疊加排列方式. 為生產此種Gate結構需要Pattern顯影, 蒸鍍, 蝕刻等一系列工程的革新, 並且為了減少寄生電容還要導入替代銅的鈷, 釕等新材料.
業界人士稱: 3納米工程開發與晶片設計若有龐大財源的支援下是有可行性, 但關鍵在於是否值得如此投資. 而且可使用此種工程的公司也就只有高通, 蘋果, 英偉達, 蘋果等少數公司, 這也將是3納米工程的絆腳石之一. ETNews
5.7nm 56Gbps SerDes加持, 這款ASIC或為AI晶片封裝提供新思路;
摘要: 近期, eSilicon推出了由台積電7nm工藝製造的NeuASIC ASIC平台, 該平台下的56Gbps SerDes核是由2017年加入的前Marvell意大利團隊設計的.
集微網消息 (文/小北) 近期, eSilicon推出了由台積電7nm工藝製造的NeuASIC ASIC設計平台, 包含用於網路應用的軟硬體宏命令和用於構建AI加速器的新架構及IP庫.
NeuASIC平台為設計者提供了多種功率優化的記憶體編譯器, SerDes和2.5D IC封裝. 7nm庫包括56Gbps SerDes, HBM2 PHY, 三態內容定址存儲器 (TCAM) 編譯器, 網路優化I / O以及其他組件.
2017年, Marvell關閉了其大部分歐洲的業務, eSilicon由此 '獲得' 了Marvell的意大利工程師團隊, 該團隊為Marvell開發了28nm 工藝製造的56Gbps SerDes. 這個團隊用基於ADC/DSP的相同架構開發出了7nm的56Gbps SerDes, 且該核出現在了NeuASIC平台上, 同時, 該核可以被單獨授權使用. 對於晶片而言, 功耗與性能似乎是兩個無法同時兼顧的指標. 這款SerDes核心可實現PAM4及NRZ編碼, 並且它的可編程性允許設計者進行長/簡訊道的性能與功耗調節.
SerDes是Serializer/Deserializer的簡稱, 顧名思義是指串化器和解串器. 但是, 將SerDes僅僅描述為串化器和解串器, 這樣的解釋並不完整. 除了串化器和解串器, SerDes系統還包括髮送端的驅動級和接收端的類比前端. 對於低速SerDes系統而言, 類比前端的設計難度小, 功耗低, 使用ADC反而會增大系統的設計難度; 而對於高速SerDes系統而言, 實現高精度的高速ADC本身比實現類比前端的代價更大.
4月, 聯發科推出業內首個7nm 56G PAM4 SerDes IP, 該解決方案是基於DSP技術的, 採用高速傳輸訊號PAM4, 預計於2018下半年上市.
eSilicon與聯發科的SerDes方案都可以實現56Gbps, 並採用7nm工藝, 未來也許會形成競爭關係.
SerDes是NeuASIC平台的一部分, '通信' 為其重要的任務之一. NeuASIC AI性能的實現主要在於其AI加速器等. AI加速器的整合方式相對 '新穎' , 而這與NeuASIC的封裝有很大的關係.
為了最大化記憶體的頻寬, eSilicon NeuASIC網路通信晶片, 通過矽中介層的方式, 將ASIC與DRAM堆疊, 並利用2.5D封裝技術進行封裝. 對於AI加速器, NeuASIC允許設計者將深度學習加速器 (DLA) 融合到ASIC中, 如下圖. 業內人士認為, 這是一種全新的方式. (校對/Jimmy)
6.台積電Q2營收淨利雙雙下滑,7nm將成2H主力,無在大陸上市計劃
原標題: 台積電:Q2營收淨利雙雙下滑, 7nm將成為下半年營收主力, 無在大陸上市計劃
摘要: 在昨日舉辦的第二季度法說會上, 台積電CEO劉德音表示, 根據美國新公布第二波加征關稅清單, 並未發現有台積電客戶列名被課稅清單中, 因此對台積電無影響, 美國後續是否有第三波加征關稅清單, 台積電密切觀察.
集微網消息 (文/茅茅) , 台積電昨日 (19日) 召開了法說會, 並公布了第二季度財報, 這也是繼董事長張忠謀正式退休後的公開的第一份財報. 財報顯示, 台積電Q2營收為76億美元, 環比下滑5.97%; 淨利潤為23.59億美元, 環比下滑19.49%.
針對Q2營收和淨利潤環比下降的原因, 台積電財務長暨發言人何麗梅表示, 主要是受到移動終端產品的季節性因素影響, 然而加密貨幣挖礦運算持續強勁的需求和較為有利的匯率環境, 則減緩了移動終端產品營收疲軟的影響.
再度調降今年營收預期和資本支出
展望Q3, 台積電CEO魏哲家表示, 得益於下半年新一代iPhone手機的發布, 以及7納米製程晶片收益顯現, 台積電第三季度的營收將有望回升. 台積電預估Q3營收在84.5億到85.5億美元之間, 而Q3的毛利率預計介於48%到50%之間.
此外, 未來智能手機, 汽車, 高效能運算和物聯網等, 將進一步帶動半導體產業持續成長, 而AI和5G又將為人類生活帶來重大改變.
雖然台積電預計Q3營收表現將符合市場預期, 但台積電還是調降了全年展望. 台積電預估, 全年營收若以美元計算, 年增幅為高個位數, 約7-9%, 低於上季法說預估的 10%, 這也是台積電今年二度調降全年預估值.
據悉, 在今年年初台積電舉辦的法說會上, 張忠謀曾表示, 預估今年營收可望成長10-15%. 而在第一季度的法說會上, 台積電將今年營收年增幅調降為10%, 台積電稱下調的原因是因為智能手機需求不佳.
而現在再次下調全年營收增長率, 台積電稱主要原因是因為虛擬貨幣的需求開始降溫. 同時, 今年智能手機相關晶片營收預期將較去年衰退, 這也導致台積電營收表現低於預期.
除了下調全年營收增長預期, 台積電稱還將調降今年資本支出計劃, 從先前的115億美元至120億美元降至100億到105億美元. 何麗梅表示, 今年資本支出減少約15億美元的主要原因有三個:
第一是設備付款遞延, 時間從今年延後到2019年, 此部分影響約 7 億美元, 第二個原因是台積電生產效率提升, 設備部分可以共用, 因此減少部分設備購買.
第三個原因則是美元強勢, 原本台積電部分設備支付幣別是以歐元與日圓, 但美元強勢使得這些幣別貶值, 連帶也使支付金額減少.
台積電對7納米充滿信心
在台積電第二季度的財報中, 7納米的營收還沒有體現出來. 對此, 台積電錶示7納米正按計劃推進, 預計下半年將開始貢獻收入. 同時, 台積電對7納米製程發展深具信心, 預期第3季7納米製程比重將達10%, 第4季7納米製程單季比重可望進一步達20%水準, 明年將貢獻超過20%業績, 即明年7納米製程業績將較今年激增1倍以上.
台積電錶示, 今年下半年開始, 採用7納米的客戶數量較20/16/10納米都將有所增加. 目前, 台積電已經在7納米工藝節點上佔據統治地位, 拿下了眾多大客戶的大訂單. 據悉, 台積電的最新InFO技術已獲得蘋果認可, 使得它能夠獲得為今年發布的iPhone製造A12處理器的訂單. 除此之外, 下半年台積電還會給華為麒麟, 高通, AMD, NVIDIA等十餘家客戶生產新的晶片.
而針對增強版7納米製程進展, 台積電預計明年第2季量產, 內部有信心將會是首家採用極紫外光 (EUV) 的晶圓代工廠.
此外, 台積電還表示, 明年上半年會對5納米進行風險性試產, 而3納米已在南科設廠, 投資金額超200億美元.
第二批加稅清單未涉及台積電客戶, 無赴大陸IPO計劃
不過, 台積電目前全球晶圓代工市佔超過五成, 彭博資訊專欄作家高燦鳴認為, 歐盟執委會日前對穀歌裁定43億歐元巨額罰款, 台積電應該為自己可能成為歐盟下一個鎖定的反壟斷目標預做準備.
台積電去年11月曾對股東表示, 歐盟執委會正在對該公司進行初步的競爭調查, 不過市場並未太重視此事. 據Mlex機構的資訊顯示, 台積電被歐盟調查的原因, 是被指 '涉及濫用市場力量, 非法排除半導體市場的競爭者, 包括在半導體供應合約中加入不當條件' . 美國公平交易委員會也正在進行類似的調查.
本周歐盟對穀歌開出了50億美元天價罰單, 高燦鳴認為, 台積電主管及投資人不應低估歐盟主管競爭事務執委薇絲塔格的威力.
至於中美貿易戰延燒, 稍早台積電創辦人張忠謀在出席台積電企業總部改名張忠謀大樓時即強調, 中美貿易戰是美國總統特朗普正在上演的一場 '沒有劇本' 的實境秀, 預料美, 中兩國會找到解決的方法, 不預期會是場漫長的貿易戰.
值得一提的是, 大陸客戶營收在台積電總營收中的佔比已由第1季度的19%增至23%, 這也反映出大陸半導體產業快速成長, 對台積電依賴持續升高, 若中美貿易戰擴及半導體項目, 自然會衝擊台積電營運.
目前, 投資金額達900億元新台幣的台積電南京12英寸廠, 已於今年5月份正式出貨. 台積電錶示, 南京廠將優先填滿月產2萬片產能, 不排除再擴產. 此外, 據台積電透露, 目前沒有在中國大陸上市的計劃, 未來也沒有赴美建廠的打算.