1.2018年半导体市场或首超5000亿美元,NAND闪存降价拖累全年增速;
原标题: 2018年全球半导体市场有望首次超过5000亿美元, NAND闪存降价或拖累全年增速
摘要: IC insights 预测2018年全球电子系统市场将增长5%至1.622万亿美元, 全球半导体市场今年预计将增长14%至5091亿美元, 这是首次超过5000亿美元的水平. 如果2018年的预测实现, 则电子系统中平均半导体含量将达到31.4%, 打破2017年创下的28.8%的历史纪录.
集微网消息 (文/Jimmy) , 在即将到来的2018年McClean报告年中更新中, IC insights 预测2018年全球电子系统市场将增长5%, 至1.622万亿美元, 全球半导体市场今年预计将增长14%, 至5091亿美元, 有望首次超过5000亿美元. 如果2018年的预测实现, 则电子系统中半导体成本将达到31.4%, 打破2017年创下的28.8%的历史纪录.
从历史上看, 与电子系统市场相比, 半导体行业年均增长率较高的背后是用于电子系统的半导体的价值或用量的增加. 由于全球手机, 汽车和个人电脑的出货量预计将在2018年出现疲软, 电子系统市场的平稳发展却出现半导体市场的高增长, 归因于电子系统中半导体用量的增加.
在过去30年中, 电子系统中半导体用量一直在增加, 2018年电子系统的半导体用量有大幅跃升主要是因为DRAM 和NAND闪存销售价格激增以及今年电子系统售价出现增长. IC Insights预计, 从2018年到2022年, 半导体成本占电子系统比例将不会低于30%, 2020年可能会滑落至30.2%, 但2022年将达31.5%, 再次创出新高.
同时值得关注的是, 今年前五个月, 半导体产业的增速都是20%以上, 但IC insight预期全年的增速下降到14%. 这和NAND闪存降价密切相关.
电子系统中半导体价值越来越高的趋势是有限度的. 考虑到其他材料与软件成本, 半导体成本不会涨到100%. 将来, 当半导体成本占比接近极限时, 半导体产业增长率也将于系统设备市场增长率极为接近, 例如每年增长4%到5%. (校对/乐川)
2.自驾驱动2020年每辆汽车芯片用量达1500美元,FD-SOI成一大赢家?;
原标题: 自动驾驶驱动2020年每辆汽车芯片用量达1500美元, FD-SOI成为一大赢家?
摘要: 诸如新兴的ADAS, 车联网, 信息娱乐系统, 动力系统等涉及的芯片或传感器等均可采用FD-SOI工艺, FD-SOI在汽车当中的应用十分广泛. 为了自强自立, 国内显然亦需要发展FD-SOI技术.
集微网报道 (文 艾檬) 在今日举办的青城山中国IC生态高峰论坛上, 自动驾驶成为最热的话题, 虽然全产业链上下游齐齐发力, 但其实最大的赢家之一还是FD-SOI生态圈 '伙伴' , 这又是为何?
自动驾驶成一大推手
当半导体工艺制程发展到22纳米时, 为了满足性能, 成本和功耗要求, 延伸发展出FinFET和FD-SOI两种技术. 由于半导体龙头英特尔主导推广FinFET技术, 并得到晶圆代工大厂台积电的支持, 使得FinFET技术大行其道. 不过, 最近几年FD-SOI工艺越来越受业界关注, 格芯, 三星, 索尼, ST, 芯原微电子等产业厂商在FD-SOI技术上的投入越来越大, 其技术优势和应用前景也越发地被看好.
全球FD-SOI产业联盟主席Carlos Mazure 分享了相关数据. 他表示, 汽车市场在不断地增长, 增速非常快, 全球平均为八点多, 而中国的增长速度更快, 达到12.4%. 预计到2020年, 平均每辆汽车上的芯片将会达到1500美元.
从相关资料来看, 一方面, FD-SOI的优势之一为采用正向体偏压技术 (FBB) , 可以用软件控制实现功耗, 性能动态平衡, 而且易于集成RF如收发器以及非易失性存储单元, 在汽车电子等领域有独特优势. 另一方面, 汽车智能化, 网联化使边缘AI及分布式AI成为必须, 需要更高性能更低功耗; 5G日益成熟, 需要RF高集成; 汽车ADAS需要雷达集成降低成本等, FD-SOI技术优势与应用需求成功 '对接' , 使得FD-SOI迎来最好时光.
OEM厂商参与以优化底层架构
经过多年的发展, FD-SOI的生态圈已涵盖工具厂商, IP厂商, 设计服务厂商, 芯片厂商, 制造厂商等, 以提供易于获取的即插即用方案, 从而最大限度降低客户成本.
而FD-SOI有更长远的目标. Carlos Mazure表示, 为使得不同的元素能够积聚, 使整个生态圈共同作出决策, 实现各方的利益, 前不久有机会邀请了奥迪阐述他们的需求. Carlos Mazure提到, 奥迪认为功耗是汽车电子需要突破的主要障碍, 因而提出了一个三层架构, 最基本是传感制动层, 然后是可扩展的计算, 最后是无缝的Car2X 数据集成.
Carlos Mazure分析说, 奥迪, 谷歌, 苹果等是从产业链从上往下走, 让他们接触基础架构, 这可让他们能够更好地参与到整个链条中来, 共同对底层架构系统进行优化, 实现自动驾驶和智能网联. 未来AI, 5G和智能驾驶是紧密耦合的, 这将极大地促进FD-SOI的发展.
格芯汽车电子物联网与网络业务发展副总裁Mark Granger亦提到, 格芯将在成都加大投入助力成都成为FD-SOI关键产业基地. 目前在生态建设方面, 格芯和成都市政府合作已经有75个合作伙伴, 可提供150个IP项目, 实现从设计IP到技术上的支持, 不断拓展.
技术不断推进
自动驾驶既承载了FD-SOI的厚望, 同时也提出了更高的要求, 比如更加严格的标准, 更加新兴技术的融合等等.
Mark Granger对此提到, 格芯专注于汽车的Autopro技术方案已开发了十年, 对于IS26262, AEC-Q100等新标准, 都进行过相关的认证, 让产品实现更好的安全性和可靠性; 高压BCD, 毫米波雷达等技术的集成, 以及降低成本和功耗, 格芯的22FDX技术都已可应对.
'FD-SOI已经累计开发20亿美元产品. ' Mark Granger提到. 当然, Mark Granger也坦言, 为了实现零缺陷, 零漂移, 以及更好的可行性和安全性, 这仍是一个非常大的挑战, 需要集合合作伙伴的智慧和力量.
对于FD-SOI的潜力, 国内也应加紧备战. 国内半导体产业专家莫大康曾撰文指出, 围绕FD-SOI已经形成了工艺研究, 晶圆制造, IP, 代工厂, IC设计服务公司, IC设计公司的完整产业链. 莫大康认为, 中国半导体业处在一个特殊的环境中, 为了自强自立, 显然亦需要发展FD-SOI技术, 这一点是无疑的. 尤其是在赶超国外同行的过程中, FD-SOI技术可能是最为靠谱的技术之一. 中国半导体业已有一些厂商涉足FD-SOI, 相信后续会有更加惊艳的表现.
3.韩国拟加大芯片项目支持力度 应对中国对手挑战;
新浪科技讯 北京时间7月20日晚间消息, 韩国贸易, 工业和能源部长白云揆(Paik Un-gyu)日前表示, 韩国政府将加大对大型研发项目的支持, 以开发尖端内存芯片, 应对中国竞争对手的崛起.
当前, 芯片是韩国最大的出口产品, 而中国是全球最大的芯片市场. 但由于中国计划投入巨额资金来推动本国芯片产业的发展, 以降低对国外产品的依赖, 导致业界对韩国芯片产业的长期前景感到担忧.
为此, 白云揆日前在韩国国民大会小组会议期间表示: '政府正考虑支持设计及生产下一代存储芯片的大型项目, 并计划在今年下半年进行初步可行性研究'
虽然三星电子和SK海力士等韩国科技巨头已经通过技术创新开发出了世界级内存芯片产品, 但仍有专家呼吁韩国政加大对该行业的关注, 以应对快速崛起的中国竞争对手的挑战.
事实上, 韩国本土芯片制造商也担心, 中国政府的举措可能会以比预期更快地速度缩小与韩国的技术差距. 届时, 如果产量得不到谨慎控制, 将导致全球芯片价格暴跌.
白云揆说: '中国正加紧发展自己的半导体产业, 以缩小与韩国的差距, 这可能导致全球供应过剩. 近期, 内存芯片价格增速已经有所放缓, 导致一些人认为 '超级周期' 正接近顶峰. ' (李明)
4.三星: 2020年开发3纳米制程, 芯片设计费将高达15亿;
三星电子先前发布, 到2020年开发3纳米Foundry制程. 据分析称3纳米Foundry制程芯片设计费用将高达15亿美金. 虽芯片设计费用的增长倍数极高, 但据专家分析称其电流效率和性能提升幅度并没有与费用成正比, 而且考虑到高额的费用, 能设计3纳米工程的企业屈指可数.
7月17日半导体市调机构International Business Strategy (IBS) 分析称3纳米芯片工程的芯片设计费用将高达4亿至15亿美金. IBS说明, 在设计复杂度相对较高的GPU等芯片设计费用最高. 该公司资料显示28纳米芯片的平均设计费用为5130美金, 而采用FinFET技术的7纳米芯片设计费用为2亿9780万美金, 是将近6倍的涨幅. 半导体芯片的设计费用包含IP, Architecture, 检查, 物理验证, 软件, 试产品制作等费用.
这也是半导体行业Fabless工厂一直青睐16纳米FinFET和三星的14纳米FinFET制程的理由. 对Foundry厂商来说成本也是颇为伤脑筋的事情, 不仅如此3纳米制程难度也颇高.
三星电子的3纳米制程将首次使用GAAE(Gate-All-AroundEarly), GAAP(Gate-All-Around Plus)技术, 并起名为MBCFET(MultiBridge Channel FET). 技术的核心为确保每个Gate通道的电流存在. 若FinFET结构为3面电流, GAA为Gate的所有面都要确保有电流, 电流通道变大后随之性能也将提升.
三星电子的MBCFET技术为美国IBM和GF共同开发. 若FinFET为鱼鳞状的Gate竖向排列的话, GAA为Gate横向叠加排列方式. 为生产此种Gate结构需要Pattern显影, 蒸镀, 蚀刻等一系列工程的革新, 并且为了减少寄生电容还要导入替代铜的钴, 钌等新材料.
业界人士称: 3纳米工程开发与芯片设计若有庞大财源的支持下是有可行性, 但关键在于是否值得如此投资. 而且可使用此种工程的公司也就只有高通, 苹果, 英伟达, 苹果等少数公司, 这也将是3纳米工程的绊脚石之一. ETNews
5.7nm 56Gbps SerDes加持, 这款ASIC或为AI芯片封装提供新思路;
摘要: 近期, eSilicon推出了由台积电7nm工艺制造的NeuASIC ASIC平台, 该平台下的56Gbps SerDes核是由2017年加入的前Marvell意大利团队设计的.
集微网消息 (文/小北) 近期, eSilicon推出了由台积电7nm工艺制造的NeuASIC ASIC设计平台, 包含用于网络应用的软硬件宏命令和用于构建AI加速器的新架构及IP库.
NeuASIC平台为设计者提供了多种功率优化的内存编译器, SerDes和2.5D IC封装. 7nm库包括56Gbps SerDes, HBM2 PHY, 三态内容寻址存储器 (TCAM) 编译器, 网络优化I / O以及其他组件.
2017年, Marvell关闭了其大部分欧洲的业务, eSilicon由此 '获得' 了Marvell的意大利工程师团队, 该团队为Marvell开发了28nm 工艺制造的56Gbps SerDes. 这个团队用基于ADC/DSP的相同架构开发出了7nm的56Gbps SerDes, 且该核出现在了NeuASIC平台上, 同时, 该核可以被单独授权使用. 对于芯片而言, 功耗与性能似乎是两个无法同时兼顾的指标. 这款SerDes核心可实现PAM4及NRZ编码, 并且它的可编程性允许设计者进行长/短信道的性能与功耗调节.
SerDes是Serializer/Deserializer的简称, 顾名思义是指串化器和解串器. 但是, 将SerDes仅仅描述为串化器和解串器, 这样的解释并不完整. 除了串化器和解串器, SerDes系统还包括发送端的驱动级和接收端的模拟前端. 对于低速SerDes系统而言, 模拟前端的设计难度小, 功耗低, 使用ADC反而会增大系统的设计难度; 而对于高速SerDes系统而言, 实现高精度的高速ADC本身比实现模拟前端的代价更大.
4月, 联发科推出业内首个7nm 56G PAM4 SerDes IP, 该解决方案是基于DSP技术的, 采用高速传输信号PAM4, 预计于2018下半年上市.
eSilicon与联发科的SerDes方案都可以实现56Gbps, 并采用7nm工艺, 未来也许会形成竞争关系.
SerDes是NeuASIC平台的一部分, '通信' 为其重要的任务之一. NeuASIC AI性能的实现主要在于其AI加速器等. AI加速器的集成方式相对 '新颖' , 而这与NeuASIC的封装有很大的关系.
为了最大化内存的带宽, eSilicon NeuASIC网络通信芯片, 通过硅中介层的方式, 将ASIC与DRAM堆叠, 并利用2.5D封装技术进行封装. 对于AI加速器, NeuASIC允许设计者将深度学习加速器 (DLA) 融合到ASIC中, 如下图. 业内人士认为, 这是一种全新的方式. (校对/Jimmy)
6.台积电Q2营收净利双双下滑,7nm将成2H主力,无在大陆上市计划
原标题: 台积电:Q2营收净利双双下滑, 7nm将成为下半年营收主力, 无在大陆上市计划
摘要: 在昨日举办的第二季度法说会上, 台积电CEO刘德音表示, 根据美国新公布第二波加征关税清单, 并未发现有台积电客户列名被课税清单中, 因此对台积电无影响, 美国后续是否有第三波加征关税清单, 台积电密切观察.
集微网消息 (文/茅茅) , 台积电昨日 (19日) 召开了法说会, 并公布了第二季度财报, 这也是继董事长张忠谋正式退休后的公开的第一份财报. 财报显示, 台积电Q2营收为76亿美元, 环比下滑5.97%; 净利润为23.59亿美元, 环比下滑19.49%.
针对Q2营收和净利润环比下降的原因, 台积电财务长暨发言人何丽梅表示, 主要是受到移动终端产品的季节性因素影响, 然而加密货币挖矿运算持续强劲的需求和较为有利的汇率环境, 则减缓了移动终端产品营收疲软的影响.
再度调降今年营收预期和资本支出
展望Q3, 台积电CEO魏哲家表示, 得益于下半年新一代iPhone手机的发布, 以及7纳米制程芯片收益显现, 台积电第三季度的营收将有望回升. 台积电预估Q3营收在84.5亿到85.5亿美元之间, 而Q3的毛利率预计介于48%到50%之间.
此外, 未来智能手机, 汽车, 高效能运算和物联网等, 将进一步带动半导体产业持续成长, 而AI和5G又将为人类生活带来重大改变.
虽然台积电预计Q3营收表现将符合市场预期, 但台积电还是调降了全年展望. 台积电预估, 全年营收若以美元计算, 年增幅为高个位数, 约7-9%, 低于上季法说预估的 10%, 这也是台积电今年二度调降全年预估值.
据悉, 在今年年初台积电举办的法说会上, 张忠谋曾表示, 预估今年营收可望成长10-15%. 而在第一季度的法说会上, 台积电将今年营收年增幅调降为10%, 台积电称下调的原因是因为智能手机需求不佳.
而现在再次下调全年营收增长率, 台积电称主要原因是因为虚拟货币的需求开始降温. 同时, 今年智能手机相关芯片营收预期将较去年衰退, 这也导致台积电营收表现低于预期.
除了下调全年营收增长预期, 台积电称还将调降今年资本支出计划, 从先前的115亿美元至120亿美元降至100亿到105亿美元. 何丽梅表示, 今年资本支出减少约15亿美元的主要原因有三个:
第一是设备付款递延, 时间从今年延后到2019年, 此部分影响约 7 亿美元, 第二个原因是台积电生产效率提升, 设备部分可以共用, 因此减少部分设备购买.
第三个原因则是美元强势, 原本台积电部分设备支付币别是以欧元与日圆, 但美元强势使得这些币别贬值, 连带也使支付金额减少.
台积电对7纳米充满信心
在台积电第二季度的财报中, 7纳米的营收还没有体现出来. 对此, 台积电表示7纳米正按计划推进, 预计下半年将开始贡献收入. 同时, 台积电对7纳米制程发展深具信心, 预期第3季7纳米制程比重将达10%, 第4季7纳米制程单季比重可望进一步达20%水准, 明年将贡献超过20%业绩, 即明年7纳米制程业绩将较今年激增1倍以上.
台积电表示, 今年下半年开始, 采用7纳米的客户数量较20/16/10纳米都将有所增加. 目前, 台积电已经在7纳米工艺节点上占据统治地位, 拿下了众多大客户的大订单. 据悉, 台积电的最新InFO技术已获得苹果认可, 使得它能够获得为今年发布的iPhone制造A12处理器的订单. 除此之外, 下半年台积电还会给华为麒麟, 高通, AMD, NVIDIA等十余家客户生产新的芯片.
而针对增强版7纳米制程进展, 台积电预计明年第2季量产, 内部有信心将会是首家采用极紫外光 (EUV) 的晶圆代工厂.
此外, 台积电还表示, 明年上半年会对5纳米进行风险性试产, 而3纳米已在南科设厂, 投资金额超200亿美元.
第二批加税清单未涉及台积电客户, 无赴大陆IPO计划
不过, 台积电目前全球晶圆代工市占超过五成, 彭博资讯专栏作家高灿鸣认为, 欧盟执委会日前对谷歌裁定43亿欧元巨额罚款, 台积电应该为自己可能成为欧盟下一个锁定的反垄断目标预做准备.
台积电去年11月曾对股东表示, 欧盟执委会正在对该公司进行初步的竞争调查, 不过市场并未太重视此事. 据Mlex机构的资讯显示, 台积电被欧盟调查的原因, 是被指 '涉及滥用市场力量, 非法排除半导体市场的竞争者, 包括在半导体供应合约中加入不当条件' . 美国公平交易委员会也正在进行类似的调查.
本周欧盟对谷歌开出了50亿美元天价罚单, 高灿鸣认为, 台积电主管及投资人不应低估欧盟主管竞争事务执委薇丝塔格的威力.
至于中美贸易战延烧, 稍早台积电创办人张忠谋在出席台积电企业总部改名张忠谋大楼时即强调, 中美贸易战是美国总统特朗普正在上演的一场 '没有剧本' 的实境秀, 预料美, 中两国会找到解决的方法, 不预期会是场漫长的贸易战.
值得一提的是, 大陆客户营收在台积电总营收中的占比已由第1季度的19%增至23%, 这也反映出大陆半导体产业快速成长, 对台积电依赖持续升高, 若中美贸易战扩及半导体项目, 自然会冲击台积电营运.
目前, 投资金额达900亿元新台币的台积电南京12英寸厂, 已于今年5月份正式出货. 台积电表示, 南京厂将优先填满月产2万片产能, 不排除再扩产. 此外, 据台积电透露, 目前没有在中国大陆上市的计划, 未来也没有赴美建厂的打算.