首個中國自主研發DRAM正式投片! 長鑫存儲迎來新CEO

國際電子商情報道, 日前, 消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片, 啟動試產8Gb DDR4工程樣品. 這將是第一個中國自主研發的DRAM晶片.

與此同時, 長鑫存儲和睿力整合的新CEO上任, 據可靠消息, 此位CEO正是兆易創新的董事長朱一明先生. 現在, 存儲器投片, 管理者就位, 這似乎預示著長鑫存儲的國產DRAM正式踏上征程.

國際電子商情報道, 日前, 消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片, 啟動試產8Gb DDR4工程樣品. 這將是第一個中國自主研發的DRAM晶片. 與此同時, 長鑫存儲和睿力整合的新CEO上任, 據可靠消息, 此位CEO正是兆易創新的董事長朱一明先生. 現在, 存儲器投片, 管理者就位, 這似乎預示著長鑫存儲的國產DRAM正式踏上征程.

目前, 國內DRAM廠商主要有紫光國芯, 福建晉華, 合肥長鑫, 長江存儲等. 紫光國微旗下的西安紫光國芯目前最新DDR4晶片已經小批量產. 福建晉華計劃於2018年下半年量產. 合肥長鑫的DRAM項目計劃2018年底量產, 長江存儲的DRAM進度則稍慢, 目前2018年內NAND FLASH小規模量產. 另外, 紫光南京半導體基地也計劃生產DRAM.

西安紫光國芯的前身是西安華芯半導體, 2015年被紫光集團旗下紫光國芯 (現更名紫光國微) 收購, 西安華芯則是浪潮集團2009年通過收購奇夢達科技 (西安) 有限公司而成立, 奇夢達原為英飛淩科技存儲器事業部拆分獨立而來. 西安紫光國芯的核心業務是存儲器設計開發, 自有品牌存儲器產品量產銷售, 以及專用整合電路設計開發服務.

福建晉華整合電路由福建省電子資訊集團, 晉江能源投資集團有限公司等共同出資設立, 與台灣聯華電子開展技術合作, 在福建省晉江市建設12吋記憶體晶圓廠生產線, 開發先進存儲器技術和製程工藝, 並開展相關產品的製造和銷售. 由台聯電出技術, 晉華提供設備與資金, 在晉江生產. 主要生產利基型DRAM產品, 採用32納米工藝製程.

合肥長鑫則是由合肥市政府支援, 興建12寸晶圓廠發展DRAM產品, 2018年初位於合肥空港經濟示範區的長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地項目的300台研發設備已全部到位, 2018年7月投片試產, 工藝製程為19納米.

按照合肥長鑫存儲器項目的5年規劃: 2018年1月一廠廠房建設完成, 並開始設備安裝; 2018年底量產8Gb DDR4工程樣品; 2019年3季度量產8Gb LPDDR4; 2019年底實現產能2萬片/月; 2020年開始規劃二廠建設; 2021年完成17納米技術研發.

長鑫存儲也是全球第四家DRAM產品採用20納米以下工藝的廠商. 另外三家是目前DRAM存儲的三大巨頭, 三星, SK海力士, 美光. 這三家的DRAM全球市佔率超過95%.

據預計, 長鑫12寸存儲器晶圓製造項目投產後, 將佔據世界DRAM市場約8%的份額. 然而, 無論是福建晉華的合作共贏, 還是紫光對存儲的布局, 以及長鑫存儲的快速發展, 領先的工藝製程等, 不難看出, 中國DRAM存儲器發展的決心, 當然面對如今的DRAM市場的霸主格局, 也必將經曆一場虎口奪食的競爭.

長鑫存儲, 睿力整合, 兆易創新

國際電子商情注意到, 7月16日北京兆易創新公告稱, 朱一明先生辭去公司總經理一職, 將繼續擔任公司董事長. 朱一明先生所負責的工作已平穩交接, 其辭職不會對公司的生產經營產生重大不利影響. 公司聘任何衛先生為公司代理總經理, 任期至第二屆董事會任期屆滿之日止.

據可靠消息, 此次朱一明辭職兆易創新總經理後, 將上任合肥長鑫存儲及睿力CEO一職, 引領合肥長鑫的DRAM項目持續發展.

7月16日, 在長鑫存儲DRAM項目正式投片總結大會上, 合肥長鑫董事長, 原睿力CEO王寧國正式把長鑫存儲以及睿力CEO的職位交給朱一明. 經過合肥市委, 整合電路產業基金 (大基金) 的批准, 朱一明將全職擔任長鑫存儲, 睿力CEO職位, 他承諾在合肥長鑫盈利之前不領一分錢工資, 一分錢獎金.

兆易創新曾獲得《電子工程專輯》頒發的電子成就獎, 朱一明 (中) 親自領獎 (Source: 電子工程專輯)

合肥長鑫整合電路有限責任公司由合肥市產業投資控股 (集團) 有限公司出資佔比99.75%, 合肥產投新興戰略產業發展合夥企業 (有限合作) 出資佔比0.25%.

睿力整合電路有限公司為長鑫存儲技術有限公司100%出資, 而長鑫存儲技術有限公司則由合肥銳捷聚成投資中心 (有限合夥) 出資佔比80.10%, 由合肥長鑫整合電路出資佔比19.9%.

去年底, 兆易創新與合肥市產業投資控股(集團)有限公司簽署《關於存儲器研發項目之合作協議》, 約定雙方在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展工藝製程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發項目, 項目預算約為180億元. 目標是在2018年12月31日前研發成功, 即實現產品良率不低於10%. 項目預算達180億元, 兆易創新與合肥產投將根據1∶4的比例負責籌集, 兆易創新負責籌集約36億元.

此次, 兆易創新董事長朱一明出任的正是長鑫存儲和睿力整合電路的CEO. 有了董事長坐陣, 兆易創新在DRAM上面的動作或許將更快. 其實在NOR FLASH方面, 兆易創新就與中芯國際合作, 通過戰略合作穩定產能供應. 相信與合肥長鑫的合作, 也將令兆易創新的DRAM產品發展得到一定的保障. 就在兆易創新與合肥長鑫達成合作之前, 兆易經曆了對ISSI的收購失敗, 不過這並沒有改變這家國內IC設計公司發展存儲的野心. 在另一方面也說明, 國產DRAM的發展還是要靠中國的存儲產業鏈走向自主之路.

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