首个中国自主研发DRAM正式投片! 长鑫存储迎来新CEO

国际电子商情报道, 日前, 消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片, 启动试产8Gb DDR4工程样品. 这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片.

与此同时, 长鑫存储和睿力集成的新CEO上任, 据可靠消息, 此位CEO正是兆易创新的董事长朱一明先生. 现在, 存储器投片, 管理者就位, 这似乎预示着长鑫存储的国产DRAM正式踏上征程.

国际电子商情报道, 日前, 消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片, 启动试产8Gb DDR4工程样品. 这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片. 与此同时, 长鑫存储和睿力集成的新CEO上任, 据可靠消息, 此位CEO正是兆易创新的董事长朱一明先生. 现在, 存储器投片, 管理者就位, 这似乎预示着长鑫存储的国产DRAM正式踏上征程.

目前, 国内DRAM厂商主要有紫光国芯, 福建晋华, 合肥长鑫, 长江存储等. 紫光国微旗下的西安紫光国芯目前最新DDR4芯片已经小批量产. 福建晋华计划于2018年下半年量产. 合肥长鑫的DRAM项目计划2018年底量产, 长江存储的DRAM进度则稍慢, 目前2018年内NAND FLASH小规模量产. 另外, 紫光南京半导体基地也计划生产DRAM.

西安紫光国芯的前身是西安华芯半导体, 2015年被紫光集团旗下紫光国芯 (现更名紫光国微) 收购, 西安华芯则是浪潮集团2009年通过收购奇梦达科技 (西安) 有限公司而成立, 奇梦达原为英飞凌科技存储器事业部拆分独立而来. 西安紫光国芯的核心业务是存储器设计开发, 自有品牌存储器产品量产销售, 以及专用集成电路设计开发服务.

福建晋华集成电路由福建省电子信息集团, 晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立, 与台湾联华电子开展技术合作, 在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线, 开发先进存储器技术和制程工艺, 并开展相关产品的制造和销售. 由台联电出技术, 晋华提供设备与资金, 在晋江生产. 主要生产利基型DRAM产品, 采用32纳米工艺制程.

合肥长鑫则是由合肥市政府支持, 兴建12寸晶圆厂发展DRAM产品, 2018年初位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位, 2018年7月投片试产, 工艺制程为19纳米.

按照合肥长鑫存储器项目的5年规划: 2018年1月一厂厂房建设完成, 并开始设备安装; 2018年底量产8Gb DDR4工程样品; 2019年3季度量产8Gb LPDDR4; 2019年底实现产能2万片/月; 2020年开始规划二厂建设; 2021年完成17纳米技术研发.

长鑫存储也是全球第四家DRAM产品采用20纳米以下工艺的厂商. 另外三家是目前DRAM存储的三大巨头, 三星, SK海力士, 美光. 这三家的DRAM全球市占率超过95%.

据预计, 长鑫12寸存储器晶圆制造项目投产后, 将占据世界DRAM市场约8%的份额. 然而, 无论是福建晋华的合作共赢, 还是紫光对存储的布局, 以及长鑫存储的快速发展, 领先的工艺制程等, 不难看出, 中国DRAM存储器发展的决心, 当然面对如今的DRAM市场的霸主格局, 也必将经历一场虎口夺食的竞争.

长鑫存储, 睿力集成, 兆易创新

国际电子商情注意到, 7月16日北京兆易创新公告称, 朱一明先生辞去公司总经理一职, 将继续担任公司董事长. 朱一明先生所负责的工作已平稳交接, 其辞职不会对公司的生产经营产生重大不利影响. 公司聘任何卫先生为公司代理总经理, 任期至第二届董事会任期届满之日止.

据可靠消息, 此次朱一明辞职兆易创新总经理后, 将上任合肥长鑫存储及睿力CEO一职, 引领合肥长鑫的DRAM项目持续发展.

7月16日, 在长鑫存储DRAM项目正式投片总结大会上, 合肥长鑫董事长, 原睿力CEO王宁国正式把长鑫存储以及睿力CEO的职位交给朱一明. 经过合肥市委, 集成电路产业基金 (大基金) 的批准, 朱一明将全职担任长鑫存储, 睿力CEO职位, 他承诺在合肥长鑫盈利之前不领一分钱工资, 一分钱奖金.

兆易创新曾获得《电子工程专辑》颁发的电子成就奖, 朱一明 (中) 亲自领奖 (Source: 电子工程专辑)

合肥长鑫集成电路有限责任公司由合肥市产业投资控股 (集团) 有限公司出资占比99.75%, 合肥产投新兴战略产业发展合伙企业 (有限合作) 出资占比0.25%.

睿力集成电路有限公司为长鑫存储技术有限公司100%出资, 而长鑫存储技术有限公司则由合肥锐捷聚成投资中心 (有限合伙) 出资占比80.10%, 由合肥长鑫集成电路出资占比19.9%.

去年底, 兆易创新与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署《关于存储器研发项目之合作协议》, 约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目, 项目预算约为180亿元. 目标是在2018年12月31日前研发成功, 即实现产品良率不低于10%. 项目预算达180亿元, 兆易创新与合肥产投将根据1∶4的比例负责筹集, 兆易创新负责筹集约36亿元.

此次, 兆易创新董事长朱一明出任的正是长鑫存储和睿力集成电路的CEO. 有了董事长坐阵, 兆易创新在DRAM上面的动作或许将更快. 其实在NOR FLASH方面, 兆易创新就与中芯国际合作, 通过战略合作稳定产能供应. 相信与合肥长鑫的合作, 也将令兆易创新的DRAM产品发展得到一定的保障. 就在兆易创新与合肥长鑫达成合作之前, 兆易经历了对ISSI的收购失败, 不过这并没有改变这家国内IC设计公司发展存储的野心. 在另一方面也说明, 国产DRAM的发展还是要靠中国的存储产业链走向自主之路.

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