7月17日上午消息, 三星今晨宣布, 成功開發出業內首款LPDDR5-6400記憶體晶片, 基於10nm級 (10~20nm) 工藝.
據悉, 該LPDDR5記憶體晶片單顆容量8Gb (1GB) , 8GB容量的模組原型也做出並完成功能驗證.
其它基本規格還有, 記憶體速度 (針腳頻寬) 最高6400Mbps , 是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍. 三星稱, 每秒可以傳送51.2GB數據 (比如高端手機常見的64bit bus) , 相當於14部1080P電影 (每部3.7GB) . 要是PC的128bit BUS, 每秒破100GB無壓力.
與此同時, 功耗比LPDDR4X降低高達30%, 主要是得益於動態調節電壓, 避免無效消耗, 深度睡眠等技術加入.
三星的8Gb LPDDR5規格彈性較高, 1.1V工作電壓下可達6400Mbps, 1.05V下可達5500Mbps, 供手機, 車載平台自行選擇.
資料顯示, 三星在2014年首先成功量產8Gb LPDDR4記憶體晶片, 之後, 就開始推進向LPDDR5新標準的過渡.
新的8Gb LPDDR5記憶體晶片是三星高端DRAM產品線的一部分, 後者已經包括10nm級的16Gb GDDR6顯存晶片 (2017年12月量產) 和16Gb DDR5記憶體晶片 (今年2月份開發完成) .
LPDDR5記憶體晶片將用於移動設備如手機, 平板, 二合一電腦等, 三星稱, 5G和AI將是其主力服務的場景.
三星將在位於韓國平澤市的工廠量產LPDDR5, GDDR6和DDR5 DRAM晶片.
