7月17日上午消息, 三星今晨宣布, 成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片, 基于10nm级 (10~20nm) 工艺.
据悉, 该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb (1GB) , 8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证.
其它基本规格还有, 内存速度 (针脚带宽) 最高6400Mbps , 是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍. 三星称, 每秒可以传送51.2GB数据 (比如高端手机常见的64bit bus) , 相当于14部1080P电影 (每部3.7GB) . 要是PC的128bit BUS, 每秒破100GB无压力.
与此同时, 功耗比LPDDR4X降低高达30%, 主要是得益于动态调节电压, 避免无效消耗, 深度睡眠等技术加入.
三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高, 1.1V工作电压下可达6400Mbps, 1.05V下可达5500Mbps, 供手机, 车载平台自行选择.
资料显示, 三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片, 之后, 就开始推进向LPDDR5新标准的过渡.
新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分, 后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片 (2017年12月量产) 和16Gb DDR5内存芯片 (今年2月份开发完成) .
LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机, 平板, 二合一电脑等, 三星称, 5G和AI将是其主力服务的场景.
三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5, GDDR6和DDR5 DRAM芯片.