iMobile手機之家, 7月11日消息 日前, 作為快閃記憶體巨頭的三星官方宣布已經開始大規模生產第五代快閃記憶體顆粒——V-NAND, 第五代快閃記憶體將會首次採用Toggle DDR4.0介面, 而記憶體與快閃記憶體間傳輸速度最高能達到1.4Gbps, 相比上一代產品增加40%.
與之前產品類似的是, 第五代V-NAND快閃記憶體同樣採用CTF (charge trap flash) 工藝, 只是堆疊層由上一代產品的64層增加到超過90層. 新產品的能效表現會更好, 工作電壓從1.8V降低到了1.2V.
同時, 第五代V-NAND的讀寫性能都有加強, 寫入速度相比上一代提高約30%, 達到500μs (單頁寫入時間) , 而讀取速度速度也有所提升, 單頁讀取時間減少到50μs.
可以預見, 三星快閃記憶體顆粒的升級將會給之後採用的設備帶來更好的表現, 而其中就包括我們所期待的新一代旗艦智能手機產品.
iMobile手機之家, 7月11日消息 日前, 作為快閃記憶體巨頭的三星官方宣布已經開始大規模生產第五代快閃記憶體顆粒——V-NAND, 第五代快閃記憶體將會首次採用Toggle DDR4.0介面, 而記憶體與快閃記憶體間傳輸速度最高能達到1.4Gbps, 相比上一代產品增加40%.
與之前產品類似的是, 第五代V-NAND快閃記憶體同樣採用CTF (charge trap flash) 工藝, 只是堆疊層由上一代產品的64層增加到超過90層. 新產品的能效表現會更好, 工作電壓從1.8V降低到了1.2V.
同時, 第五代V-NAND的讀寫性能都有加強, 寫入速度相比上一代提高約30%, 達到500μs (單頁寫入時間) , 而讀取速度速度也有所提升, 單頁讀取時間減少到50μs.
可以預見, 三星快閃記憶體顆粒的升級將會給之後採用的設備帶來更好的表現, 而其中就包括我們所期待的新一代旗艦智能手機產品.
