iMobile手机之家, 7月11日消息 日前, 作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND, 第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口, 而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps, 相比上一代产品增加40%.
与之前产品类似的是, 第五代V-NAND闪存同样采用CTF (charge trap flash) 工艺, 只是堆叠层由上一代产品的64层增加到超过90层. 新产品的能效表现会更好, 工作电压从1.8V降低到了1.2V.
同时, 第五代V-NAND的读写性能都有加强, 写入速度相比上一代提高约30%, 达到500μs (单页写入时间) , 而读取速度速度也有所提升, 单页读取时间减少到50μs.
可以预见, 三星闪存颗粒的升级将会给之后采用的设备带来更好的表现, 而其中就包括我们所期待的新一代旗舰智能手机产品.
iMobile手机之家, 7月11日消息 日前, 作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND, 第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口, 而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps, 相比上一代产品增加40%.
与之前产品类似的是, 第五代V-NAND闪存同样采用CTF (charge trap flash) 工艺, 只是堆叠层由上一代产品的64层增加到超过90层. 新产品的能效表现会更好, 工作电压从1.8V降低到了1.2V.
同时, 第五代V-NAND的读写性能都有加强, 写入速度相比上一代提高约30%, 达到500μs (单页写入时间) , 而读取速度速度也有所提升, 单页读取时间减少到50μs.
可以预见, 三星闪存颗粒的升级将会给之后采用的设备带来更好的表现, 而其中就包括我们所期待的新一代旗舰智能手机产品.
