今年以來, Flash快閃記憶體供應充足, SSD的價格從去年的高位被 '打回原形' , 消費者終於可以慢慢挑選了.
據Chosun Ilbo報道, 韓國產業鏈的消息人士透露, 三星今年投資在NAND Flash快閃記憶體上的資本支出預計是64億美元, 2019年更是會提高到90億美元.
這些投入首先是用於提高3D快閃記憶體的產能, 包括位於平澤市和中國西安市的工廠, 其次是先進技術. 本周, 三星宣布量產第五代3D V-NAND快閃記憶體, 採用96層堆疊, 單Die 32GB容量, 領先競爭對手兩年的時間.
IC Insights分析指出, 三星釋放訊號僅是個開端, 未來幾年, SK海力士, 美光, Intel, 東芝, 西數/閃迪, 長江存儲/武漢新芯等都表態在未來擴充快閃記憶體產能, 由此可能會出現供應量刹不住車的超調風險.
