今年以来, Flash闪存供应充足, SSD的价格从去年的高位被 '打回原形' , 消费者终于可以慢慢挑选了.
据Chosun Ilbo报道, 韩国产业链的消息人士透露, 三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元, 2019年更是会提高到90亿美元.
这些投入首先是用于提高3D闪存的产能, 包括位于平泽市和中国西安市的工厂, 其次是先进技术. 本周, 三星宣布量产第五代3D V-NAND闪存, 采用96层堆叠, 单Die 32GB容量, 领先竞争对手两年的时间.
IC Insights分析指出, 三星释放信号仅是个开端, 未来几年, SK海力士, 美光, Intel, 东芝, 西数/闪迪, 长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能, 由此可能会出现供应量刹不住车的超调风险.
