由於物聯網顯著增加了捕獲某種數據的端點數 (2017年付運約20億台設備, 比2015年增長54%) , 因此需要大量的存儲器來處理和存儲數據. 為此, 正在構建大型伺服器機群, 這些機群將消耗大量電力. 電源轉換將產生熱量, 終將會有損耗. 這種發熱如此之大, 以至於導致冷卻成本是運行伺服器機群的主要成本之一. 這導致PSU製造商不斷尋求構建更高能效的PSU. 此外, 為了以更佳的能效降低冷卻成本, 需要減小PSU的尺寸, 從而使更多的伺服器可以安裝在相同的空間中.
傳輸這些數據的方式有很多種, 但2019年部署的是下一代無線互聯5G. 一旦5G技術得以充分利用, 它將能夠提供比當前4G LTE網路快10倍的速度. 這種速度的提高需要更高的功率, 這將使每個5G無線電中的功率MOSFET數增加約5倍.
為此, 安森美半導體提供高性能分立方案, 以成功地實現雲電源市場的高能效目標. 相較上一代超級結器件, 新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使雲電源能夠達到這更高的能效. SuperFETIII技術提供三種不同的版本: 易驅動版本(Easy Drive), 快恢複版本(FRFET)和快速版本(FAST). 應用和拓撲結構將決定應該使用哪個版本來獲得最佳的能效.
針對次級端, 安森美半導體提供全系列中, 低壓MOSFET, 這些MOSFET已針對雲電源進行了優化. T6技術為30V, 40V和60V提供業界最低的RDSon. 新的T8技術為25V, 40V, 60V和80V提供與T6相同的超低RDSon, 同時進一步改善了開關參數. 對於80 V, 100 V和120 V, 採用PTNG技術, 提供出色的RDSon和體二極體性能. 隨著製造商挑戰更高能效和強固性, 他們開發出像安森美半導體的650及1200 V碳化矽(SiC)二極體這樣的器件, 用於功率因數校正(PFC)級.
隨著基於雲的物聯網的急劇增加, 雲由最高能效的電源供電很重要. 安森美半導體正盡己所能, 提供25V至650 V的領先行業的MOSFET, 並開發下一代半導體SiC.