由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数 (2017年付运约20亿台设备, 比2015年增长54%) , 因此需要大量的存储器来处理和存储数据. 为此, 正在构建大型服务器机群, 这些机群将消耗大量电力. 电源转换将产生热量, 终将会有损耗. 这种发热如此之大, 以至于导致冷却成本是运行服务器机群的主要成本之一. 这导致PSU制造商不断寻求构建更高能效的PSU. 此外, 为了以更佳的能效降低冷却成本, 需要减小PSU的尺寸, 从而使更多的服务器可以安装在相同的空间中.
传输这些数据的方式有很多种, 但2019年部署的是下一代无线互联5G. 一旦5G技术得以充分利用, 它将能够提供比当前4G LTE网络快10倍的速度. 这种速度的提高需要更高的功率, 这将使每个5G无线电中的功率MOSFET数增加约5倍.
为此, 安森美半导体提供高性能分立方案, 以成功地实现云电源市场的高能效目标. 相较上一代超级结器件, 新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使云电源能够达到这更高的能效. SuperFETIII技术提供三种不同的版本: 易驱动版本(Easy Drive), 快恢复版本(FRFET)和快速版本(FAST). 应用和拓扑结构将决定应该使用哪个版本来获得最佳的能效.
针对次级端, 安森美半导体提供全系列中, 低压MOSFET, 这些MOSFET已针对云电源进行了优化. T6技术为30V, 40V和60V提供业界最低的RDSon. 新的T8技术为25V, 40V, 60V和80V提供与T6相同的超低RDSon, 同时进一步改善了开关参数. 对于80 V, 100 V和120 V, 采用PTNG技术, 提供出色的RDSon和体二极管性能. 随着制造商挑战更高能效和强固性, 他们开发出像安森美半导体的650及1200 V碳化硅(SiC)二极管这样的器件, 用于功率因数校正(PFC)级.
随着基于云的物联网的急剧增加, 云由最高能效的电源供电很重要. 安森美半导体正尽己所能, 提供25V至650 V的领先行业的MOSFET, 并开发下一代半导体SiC.