三星攜手ARM優化7nm及5nm製程晶片

三星7納米LPP製程將在2018下半年初步量產, 第一款使用EUV極紫外線光刻技術的智慧財產權也在研究, 預計2019上半年正式問世. 三星下一代5納米LPE製程則以7納米EUV製程技術改良, 帶來更小的核心面積, 以及更低功耗.

三星為了追趕台積電, 在首代的7納米 (LPP) 製程中導入EUV技術. 不過, 台積電也非省油的燈, 除了積極布局7納米製程技術之外, 2018年初也已經宣布在南科啟動5納米建廠計劃, 正式投入5納米製程的研發. 因此, 三星為了能縮減與台積電的差距, 5日正式宣布攜手智慧財產權大廠安謀 (ARM) , 雙方協議將進一步優化7納米及5納米製程晶片.

ARM之前也發表了以三星7納米LPP製程及5納米LPE製程為基礎的Artisan物理IP, 包括高解析邏輯架構, 存儲器編譯器綜合套件, 1.8V及3.3V通用型之輸入輸出 (GPIO) 庫等. 此外, 三星7納米LPP製程及5納米LPE製程, 該技術可達成最佳化ARM處理器, 並更快推向市場.

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