三星携手ARM优化7nm及5nm制程芯片

三星7纳米LPP制程将在2018下半年初步量产, 第一款使用EUV极紫外线光刻技术的知识产权也在研究, 预计2019上半年正式问世. 三星下一代5纳米LPE制程则以7纳米EUV制程技术改良, 带来更小的核心面积, 以及更低功耗.

三星为了追赶台积电, 在首代的7纳米 (LPP) 制程中导入EUV技术. 不过, 台积电也非省油的灯, 除了积极布局7纳米制程技术之外, 2018年初也已经宣布在南科启动5纳米建厂计划, 正式投入5纳米制程的研发. 因此, 三星为了能缩减与台积电的差距, 5日正式宣布携手知识产权大厂安谋 (ARM) , 双方协议将进一步优化7纳米及5纳米制程芯片.

ARM之前也发表了以三星7纳米LPP制程及5纳米LPE制程为基础的Artisan物理IP, 包括高解析逻辑架构, 存储器编译器综合套件, 1.8V及3.3V通用型之输入输出 (GPIO) 库等. 此外, 三星7纳米LPP制程及5纳米LPE制程, 该技术可达成最佳化ARM处理器, 并更快推向市场.

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