對於需要大幅降低功耗和晶片尺寸的客戶來說, 相較於傳統的CMOS體矽工藝, 22FDX可提供業界較低的運行電壓, 僅需0.4V即可實現高達500MHz的頻率. 該技術還可將射頻, 收發器, 基帶, 處理器和電源管理組件高效地整合於單一晶片. 就需要持久電池壽命, 更強處理能力和連接能力的設備而言, 這項技術能以低功耗, 高密度的邏輯整合電路幫助設備實現高性能射頻和毫米波功能.
最近的VLSI研究調查結果表明, FD-SOI技術在行業內獲得了巨大關注. 格芯的路線圖戰略契合了行業的發展趨勢, 作為FinFET的補充技術, FD-SOI已被設計用於特定的應用領域, 如功耗問題十分關鍵且產品壽命相對較短的物聯網.
格芯正致力於推動22FDX技術的轉型, 同時準備推出新一代12FDX™技術. 該技術將給邊緣節點人工智慧, AR/VR到5G網路以及先進駕駛輔助(ADAS)等新一代應用賦予全節點擴展優勢以及更高的功效. 22FDX正處於早期量產階段, 其良率與性能完全符合客戶期望.