对于需要大幅降低功耗和芯片尺寸的客户来说, 相较于传统的CMOS体硅工艺, 22FDX可提供业界较低的运行电压, 仅需0.4V即可实现高达500MHz的频率. 该技术还可将射频, 收发器, 基带, 处理器和电源管理组件高效地集成于单一芯片. 就需要持久电池寿命, 更强处理能力和连接能力的设备而言, 这项技术能以低功耗, 高密度的逻辑集成电路帮助设备实现高性能射频和毫米波功能.
最近的VLSI研究调查结果表明, FD-SOI技术在行业内获得了巨大关注. 格芯的路线图战略契合了行业的发展趋势, 作为FinFET的补充技术, FD-SOI已被设计用于特定的应用领域, 如功耗问题十分关键且产品寿命相对较短的物联网.
格芯正致力于推动22FDX技术的转型, 同时准备推出新一代12FDX™技术. 该技术将给边缘节点人工智能, AR/VR到5G网络以及先进驾驶辅助(ADAS)等新一代应用赋予全节点扩展优势以及更高的功效. 22FDX正处于早期量产阶段, 其良率与性能完全符合客户期望.