三星表示, ARM的Cortex-A76將使用三星7納米LPP製程及5納米LPE製程, 以達成超越當前ARM最快2.8GHz頻率的3GHz+高頻率效能. 三星下一代5nm LPE工藝則基於7nm EUV工藝改良而成, 具體資訊尚未公布. 三星7nm LPP將在今年下半年初步量產, 第一款使用EUV光刻工藝技術的IP正在開發中, 預計2019年上半年正式問世.
這表明三星的首款7nm將採用多圖案成形的設計, 其製造成本將顯著提高. EUV技術的引入有望降低成本, 但其不能直接提高晶片的性能. 儘管EUV技術由於生產問題和存在的風險拖延了十多年都沒有被正式引入, 但目前該項目已取得了初步進展.
ARM物理設計事業部營銷副總裁Kelvin Low表示, ARM和三星代工已基於Artisan物理IP開發了大量晶片, 三星代工的7LPP和5LPE節點技藝可以滿足其共同客戶的需求, 為他們提供從移動數據中心到高性能數據中心的第二代最新晶片系統.
英特爾和AMD都必須意識到ARM正在慢慢地成為伺服器和高性能計算機市場上一股不可忽視的力量.