三星電子宣布, 已經開始批量生產第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體, 同時擁有超大容量和超高速度.
三星第五代V-NAND採用96層堆疊設計, 是目前行業紀錄, 內部整合了超過850億個3D TLC CTF快閃記憶體存儲單元, 每單元可保存3比特數據, 單Die容量達256Gb(32GB).
這些單元以金字塔結構堆積, 並在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞, 尺度僅有幾百微米寬.
它還業內首次使用了Toggle DDR 4.0介面界面, 在存儲與記憶體之間的數據傳輸率高達1.4Gbps, 比上代64層堆疊提升了40% , 同時電壓從1.8V降至1.2V, 能效大大提高.
數據寫入延遲僅為 500微秒 , 比上代提升30% , 而讀取訊號響應時間也大幅縮短到 50微秒.
三星還透露, 正在開發1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND快閃記憶體顆粒.
