三星电子宣布, 已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存, 同时拥有超大容量和超高速度.
三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计, 是目前行业纪录, 内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元, 每单元可保存3比特数据, 单Die容量达256Gb(32GB).
这些单元以金字塔结构堆积, 并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞, 尺度仅有几百微米宽.
它还业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面, 在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps, 比上代64层堆叠提升了40% , 同时电压从1.8V降至1.2V, 能效大大提高.
数据写入延迟仅为 500微秒 , 比上代提升30% , 而读取信号响应时间也大幅缩短到 50微秒.
三星还透露, 正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒.
