1.高通伺服器技術副總裁離職;
在移動領域呼風喚雨的高通早在2014年底就宣布要進軍伺服器市場, 打造基於ARM架構的伺服器晶片, 為此專門成立了高通數據中心事業部(QDT), 並在兩年後首次演示了首款48核心伺服器晶片, 2017年底正式發布了Centriq 2400系列.
但大半年過去了, 高通的伺服器之路卻非常坎坷, 幾乎沒有什麼客戶採納其方案, QDT總裁Anand Chandrasekher在今年5月份離職, 此後部門精簡, 裁員達280人.
高通伺服器技術副總裁離職: 前景黯淡
現在, QDT的技術副總裁Dileep Bhandarkar也走人了, 他可是高通Falkor ARM伺服器架構設計的靈魂人物.
Bhandarkar本人和高通對於離職都沒有做任何公開聲明, 人們也只是在近日的SemiCon West 2018半導體展會上, 聽到他說起 '前高通' 才發現端倪.
Bhandarkar的履曆非常顯赫, 曾在Intel主管高級架構設計長達12年, 直到2007年離職, 又在微軟花了6年推動數據中心創新與標準, 此後進入高通帶領進軍伺服器, 同時它還是IEEE標準協會的終身院士.
高通Centriq處理器架構圖
這樣一來, 高通的伺服器之路就越發看不到前景了, 不過高通的一位發言人對上述報道回應稱, 高通仍然致力於數據中心業務, 不會放棄, 只是縮減了投資, 同時會繼續推動與中國的聯合投資.
2016年1月, 高通和貴州省人民政府合資組建 '貴州華芯通半導體技術有限公司' (HXT), 專為中國市場設計和開發伺服器專用晶片, 雙方分別持股45% , 55% , 被視為高通 '技術換取市場' 的重要一步.
華芯通自主研發的第一款伺服器晶片 '華芯1號' 已於2017年年底試產流片成功, 並將在今年下半年投入商用. 快科技
2.Yole: 記憶體產業2018年成長動能不絕;
半導體產業在2017年取得了創紀錄的業績, 產業規模一舉突破4000億美元. 半導體設備的整體需求全年都很強勁, 這得益於所有應用中電子組件的日益普及, 尤其是行動和數據中心市場. 2017年的半導體成長由儲存組件帶動, 營收達到1260億美元, 較2016年同期成長了60%以上. 產業研究機構Yole Développement(Yole)預測, 2018年儲存市場將達到1770億美元成長40%.
DRAM和NAND市場全年處於供不應求的狀態, 導致價格上漲, 創紀錄的營收和儲存供貨商的獲利能力. 在行動和數據中心/SSD的帶動下, 需求非常強勁, 並且包括人工智慧, 物聯網和汽車在內的新興成長驅動因素. 由於產能擴充落後需求成長, 導致DRAM與NAND長期供不應求.
人工智慧和機器學習移動性和連接性的趨勢對DRAM和NAND市場都有利, 並且可能導致記憶體繼續增加其在整個半導體市場中的比重. DRAM市場不斷髮展變化. Yole認為未來五年的記憶體位需求年複合成長率為22%.
NAND需求依然強勁, 數據中心的企業級SSD成長強勁, 筆記型電腦中固態硬碟的使用率不斷提高, 以及智能手機和其他行動裝置的內容持續成長, 這些市場將繼續推動NAND位消耗的成長, 另外, 一些新興應用有望加速未來的成長, 包括AI, VR, 汽車和物聯網等. 新電子
3.半導體歇腳 矽晶圓價仍穩;
半導體 矽晶圓市場因為供不應求, 價格從2017年初開始持續走揚至今, 不過近期出現些許雜音, 部分產品的漲勢似乎有些趨緩, 法人認為, 目前矽晶圓價格並沒有下滑, 而長約比重較高的業者, 受到現貨價變化的影響會較輕微.
近期半導體矽晶圓類股的股價大多有所回調修正, 法人指出, 這大致反映了市場需求有些稍微放緩, 導致影響部分品項價格漲幅的情況, 加上今年上半價格已漲不少, 所以現在上漲的走勢面臨挑戰, 還需要讓市場消化一下既有庫存, 不過部分產品的現貨價只是持平, 還不至於反轉向下.
除了現貨供應, 為確保中長期半導體矽晶圓穩定供貨, 許多下遊客戶的長約價早已談妥, 期間包括每季, 每半年或一年約. 法人指出, 即使部分品項的現貨價漲勢有些鬆動, 長約比重高的業者受到影響仍有限.
第3季價格波動 短期現象非常態
目前矽晶圓業者大多將長約比重視為機密, 不輕易對外透露, 由於後續的合約價大多仍呈現走揚, 所以法人評估, 第3季半導體矽晶圓市況稍有波動應當只是短期現象, 而業者也才會估計明年矽晶圓價格走勢會維持上漲, 甚至延續到更長時間.
這一波半導體矽晶圓的漲勢大致先由12吋產品發動, 然後延續到8吋以及其他尺寸更小的產品. 至於出貨量方面, 根據國際半導體產業協會 (SEMI) 的數據, 今年第1季全球矽晶圓出貨面積躍升至3,084百萬平方英吋, 是單季曆史新高, 不僅季增3.6%, 年增幅度也達7.9%.
終端新興應用增加 產能利用率續看升
半導體矽晶圓相關產業迎來暌違多年的榮景, 主要是終端既有與新興應用增加, 但供給成長卻有限, 當產品可在12吋廠投片, 也可利用8吋廠的產能時, 部分未能搶得12吋產能的業者, 就擠到8吋廠生產, 而這情況連帶影響到可用8吋或6吋產能的廠商, 部分業者因此不得不將產品放到6吋廠生產. 這情況不但拉升各代工廠產能利用率, 所需矽晶圓的價格也水漲船高. 聯合晚報
4.3GHz+! 三星將基於5nm/7nm打造採用ARM A76架構的IP
三星的7nm工藝, 選擇直接導入先進的EUV(極紫外光刻)技術, 由此在進度上稍顯吃虧, 尤其是落後自己的 '宿敵' 台積電.
在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架構時, 樣片就是由台積電的7nm打造, 當時頻率最高達到了3.3GHz, 參考值也達到了3GHz.
這種局面, 三星當然不會坐視.
三星電子在韓國舉辦的鑄造論壇期間宣布, 和ARM(安謀)的戰略級代工合作推進到7nm/5nm上. 具體來說, 由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76晶片可以實現3GHz以上的頻率.
台積電版ARM A76性能效果圖
三星還透露, 7LPP將從2018年下半年開始早期生產, 採用EUV技術的IP預計明年上半年完工.
除了CPU和GPU, 三星還拿到了ARM的Artisan physical IP授權, 包括全套的記憶體編譯器, 1.8V/3.3V通用輸入輸出庫等等, 可加速開發過程, 優化開髮結果.
另外, 三星還確認其路線圖推進到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工藝.
那麼問題了, 除了Exynos, 三星的7nm A76晶片會有高通, 華為這些客戶嗎?快科技