1.高通服务器技术副总裁离职;
在移动领域呼风唤雨的高通早在2014年底就宣布要进军服务器市场, 打造基于ARM架构的服务器芯片, 为此专门成立了高通数据中心事业部(QDT), 并在两年后首次演示了首款48核心服务器芯片, 2017年底正式发布了Centriq 2400系列.
但大半年过去了, 高通的服务器之路却非常坎坷, 几乎没有什么客户采纳其方案, QDT总裁Anand Chandrasekher在今年5月份离职, 此后部门精简, 裁员达280人.
高通服务器技术副总裁离职: 前景黯淡
现在, QDT的技术副总裁Dileep Bhandarkar也走人了, 他可是高通Falkor ARM服务器架构设计的灵魂人物.
Bhandarkar本人和高通对于离职都没有做任何公开声明, 人们也只是在近日的SemiCon West 2018半导体展会上, 听到他说起 '前高通' 才发现端倪.
Bhandarkar的履历非常显赫, 曾在Intel主管高级架构设计长达12年, 直到2007年离职, 又在微软花了6年推动数据中心创新与标准, 此后进入高通带领进军服务器, 同时它还是IEEE标准协会的终身院士.
高通Centriq处理器架构图
这样一来, 高通的服务器之路就越发看不到前景了, 不过高通的一位发言人对上述报道回应称, 高通仍然致力于数据中心业务, 不会放弃, 只是缩减了投资, 同时会继续推动与中国的联合投资.
2016年1月, 高通和贵州省人民政府合资组建 '贵州华芯通半导体技术有限公司' (HXT), 专为中国市场设计和开发服务器专用芯片, 双方分别持股45% , 55% , 被视为高通 '技术换取市场' 的重要一步.
华芯通自主研发的第一款服务器芯片 '华芯1号' 已于2017年年底试产流片成功, 并将在今年下半年投入商用. 快科技
2.Yole: 内存产业2018年成长动能不绝;
半导体产业在2017年取得了创纪录的业绩, 产业规模一举突破4000亿美元. 半导体设备的整体需求全年都很强劲, 这得益于所有应用中电子组件的日益普及, 尤其是行动和数据中心市场. 2017年的半导体成长由储存组件带动, 营收达到1260亿美元, 较2016年同期成长了60%以上. 产业研究机构Yole Développement(Yole)预测, 2018年储存市场将达到1770亿美元成长40%.
DRAM和NAND市场全年处于供不应求的状态, 导致价格上涨, 创纪录的营收和储存供货商的获利能力. 在行动和数据中心/SSD的带动下, 需求非常强劲, 并且包括人工智能, 物联网和汽车在内的新兴成长驱动因素. 由于产能扩充落后需求成长, 导致DRAM与NAND长期供不应求.
人工智能和机器学习移动性和连接性的趋势对DRAM和NAND市场都有利, 并且可能导致内存继续增加其在整个半导体市场中的比重. DRAM市场不断发展变化. Yole认为未来五年的内存位需求年复合成长率为22%.
NAND需求依然强劲, 数据中心的企业级SSD成长强劲, 笔记本电脑中固态硬盘的使用率不断提高, 以及智能手机和其他行动装置的内容持续成长, 这些市场将继续推动NAND位消耗的成长, 另外, 一些新兴应用有望加速未来的成长, 包括AI, VR, 汽车和物联网等. 新电子
3.半导体歇脚 硅晶圆价仍稳;
半导体 硅晶圆市场因为供不应求, 价格从2017年初开始持续走扬至今, 不过近期出现些许杂音, 部分产品的涨势似乎有些趋缓, 法人认为, 目前硅晶圆价格并没有下滑, 而长约比重较高的业者, 受到现货价变化的影响会较轻微.
近期半导体硅晶圆类股的股价大多有所回调修正, 法人指出, 这大致反映了市场需求有些稍微放缓, 导致影响部分品项价格涨幅的情况, 加上今年上半价格已涨不少, 所以现在上涨的走势面临挑战, 还需要让市场消化一下既有库存, 不过部分产品的现货价只是持平, 还不至于反转向下.
除了现货供应, 为确保中长期半导体硅晶圆稳定供货, 许多下游客户的长约价早已谈妥, 期间包括每季, 每半年或一年约. 法人指出, 即使部分品项的现货价涨势有些松动, 长约比重高的业者受到影响仍有限.
第3季价格波动 短期现象非常态
目前硅晶圆业者大多将长约比重视为机密, 不轻易对外透露, 由于后续的合约价大多仍呈现走扬, 所以法人评估, 第3季半导体硅晶圆市况稍有波动应当只是短期现象, 而业者也才会估计明年硅晶圆价格走势会维持上涨, 甚至延续到更长时间.
这一波半导体硅晶圆的涨势大致先由12吋产品发动, 然后延续到8吋以及其他尺寸更小的产品. 至于出货量方面, 根据国际半导体产业协会 (SEMI) 的数据, 今年第1季全球硅晶圆出货面积跃升至3,084百万平方英吋, 是单季历史新高, 不仅季增3.6%, 年增幅度也达7.9%.
终端新兴应用增加 产能利用率续看升
半导体硅晶圆相关产业迎来暌违多年的荣景, 主要是终端既有与新兴应用增加, 但供给成长却有限, 当产品可在12吋厂投片, 也可利用8吋厂的产能时, 部分未能抢得12吋产能的业者, 就挤到8吋厂生产, 而这情况连带影响到可用8吋或6吋产能的厂商, 部分业者因此不得不将产品放到6吋厂生产. 这情况不但拉升各代工厂产能利用率, 所需硅晶圆的价格也水涨船高. 联合晚报
4.3GHz+! 三星将基于5nm/7nm打造采用ARM A76架构的IP
三星的7nm工艺, 选择直接导入先进的EUV(极紫外光刻)技术, 由此在进度上稍显吃亏, 尤其是落后自己的 '宿敌' 台积电.
在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架构时, 样片就是由台积电的7nm打造, 当时频率最高达到了3.3GHz, 参考值也达到了3GHz.
这种局面, 三星当然不会坐视.
三星电子在韩国举办的铸造论坛期间宣布, 和ARM(安谋)的战略级代工合作推进到7nm/5nm上. 具体来说, 由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以实现3GHz以上的频率.
台积电版ARM A76性能效果图
三星还透露, 7LPP将从2018年下半年开始早期生产, 采用EUV技术的IP预计明年上半年完工.
除了CPU和GPU, 三星还拿到了ARM的Artisan physical IP授权, 包括全套的内存编译器, 1.8V/3.3V通用输入输出库等等, 可加速开发过程, 优化开发结果.
另外, 三星还确认其路线图推进到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工艺.
那么问题了, 除了Exynos, 三星的7nm A76芯片会有高通, 华为这些客户吗?快科技