美光部分產品遭禁售, 全球半導體專利戰要開始?

爭議逾1年的聯電與美光侵權訴訟案, 大陸福州中級人民法院對美光提出禁止令, 要美光在與聯電專利侵權訴訟期間, 停止美光半導體(西安)及美光半導體(上海)多項產品生產及銷售後, 暫時由聯電奪下首勝. 然大陸裁決迅速的消息一出, 背後意義值得關注. 雙方爭訟已從一開始美光力阻大陸存儲器自建計畫的嚇阻手段, 現已演變成美中貿易大戰的前哨戰. 聯電3日發出公告, 大陸福州市中級人民法院已對美光提出禁止令, 在與聯電專利侵權訴訟期間, 美光半導體(西安)及美光半導體(上海)各12項及17項產品須停止生產及銷售. 目前僅是初步判決, 美光在大陸仍可再上訴. 然值得注意的是, 除了聯電與美光的侵權訴訟首度交手對決已被市場認為是美中貿易戰的前哨戰, 雙方未來對戰情節高潮迭起可期, 同時訴訟勝負也將牽動大陸存儲器發展與全球存儲器版圖洗牌. 而由聯電與美光交手過程來看, 已不是單純侵權案, 雙方對決所代表的意義已擴大為美中貿易戰與大陸半導體力戰群雄. 首先可追溯至2015年, 在大基金撐腰下, 紫光集團有意以230億美元收購美光, 快速拉升存儲器研發實力, 但最後遭拒絕, 大陸遂於2016年全面加速存儲器自有發展, 包括聯電與福建晉華簽訂DRAM技術合作開發協議, 緊接著紫光與大基金等共同出資成立長江存儲, 合肥長鑫亦宣布投入人民幣500億元建置晶圓廠, 3大存儲器廠肩負大陸發展DRAM及3D NAND技術重任. 市場分析指出, 大陸近年全力發展半導體產業, 2014年成立「國家整合電路產業投資基金」(大基金), 首期資金高達人民幣1,300億元資金, 近期還有人民幣3,000億元銀彈將上膛, 扶植範圍包括IC設計, 存儲器, 晶圓代工與封測等產業鏈, 近期美中貿易大戰更加速大陸政府全力發展半導體發展. 此次大陸福州中級人民法院對美光提出禁止令, 可說是一石二鳥好計策, 除於美中貿易大戰作出強力還擊, 同時也為大陸半導體發展劃定護城河, 增加未來專利權大戰手上籌碼. 大陸挾龐大內需市場優勢, 率先拿大陸營收比重不低的美光案例開刀, 警告三星電子(Samsung Electronics), SK海力士(SK Hynix)等國際半導體大廠意味濃厚, 由於大陸半導體產業實力與國際大廠仍有明顯差距, 存儲器更是還在起步中, 目前大陸政府定下2019年為DRAM元年, 因此只要能推進研發進程, 任何招數都是好計策, 當沒有可失去的, 大陸放手一搏扶植半導體的企圖心, 將令全球半導體版圖洗牌時程加速來臨. 半導體廠商認為, 聯電與美光爭訟案, 誰的贏面大, 可從各自所擁優勢來看. 以美光來看, 美光位居全球第三大存儲器廠, 營收排名僅次於三星及SK海力士, 但值得注意的是, 其大陸營收比重約達5成上下, 高度仰賴大陸業務甚深, 此次美光遭福州法院快速判定侵權, 且下達生產銷售禁令, 恐將對其營運帶來重創, 儘管美光未來勢將在美國等地作出還擊, 但由於目前大陸DRAM產業仍只是起步中, 沒有可失去的, 但卻擁有龐大內需市場, 對比之下, 聯電背後有大陸政府強力靠山, 此次侵權大戰美光攻擊著力點也太弱, 損失將高於預期. 對於聯電而言, 與大陸「綁定」持續加深, 從蘇州和艦, 廈門聯芯到山東聯暻的設計製造布局, 以及與福建晉華的技術合作協定, 還有與美光的存儲器產品侵權案, 聯電未選擇在台提告, 而是在1月時向大陸福州法院提起訴訟, 最新規劃的和艦A股上市案, 皆顯見聯電真正落實大陸晶圓代工業務在地化策略, 隨著大陸政府扶植存儲器產業, 及正值美中貿易戰, 有意以美光來牽制美國攻勢, 獲大陸政府力挺的聯電, 借力使力可望力阻美光還擊. 值得注意的是, 大陸全力發展半導體產業, 外界普遍認為以存儲器來看, 從無到有, 大陸面對手握專利大旗下的三星, SK海力士及美光等國際大廠, 恐將遭遇多起專利訴訟, 發展恐不如預期順利, 但最新局勢已被大陸所反轉, 挾龐大內需優勢, 大陸以聯電, 美光侵權案例, 警示三星, SK海力士等大廠意圖明顯, 若有任何壓制大陸半導體發展手段, 將不計代價反擊, 至少在大陸的任何產銷策略將停擺. 聯電, 美光訴訟大戰, 已不是竊密案或專利侵權官司, 所代表的意義已擴及美中貿易大戰及全球半導體技術與市場實力對決, 未來不是比拼誰贏的多, 而是誰的損失最少.

2016 GoodChinaBrand | ICP: 12011751 | China Exports