6月5日, 在中國電子科技集團公司第二研究所生產大樓內, 100台碳化矽 (SiC) 單晶生長設備正在高速運行, SiC單晶就在這100台設備裡 '奮力' 生長.
中國電科二所第一事業部主任李斌說: '這100台SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的. 我們很自豪, 正好咱們自己能生產了. '
SiC單晶是第三代半導體材料, 以其特有的大禁頻寬度, 高臨界擊穿場強, 高電子遷移率, 高熱導率等特性, 成為製作高溫, 高頻, 大功率, 抗輻照, 短波發光及光電整合器件的理想材料, 是新一代雷達, 衛星通訊, 高壓輸變電, 軌道交通, 電動汽車, 通訊基站等重要領域的核心材料, 具有重要的應用價值和廣闊的應用前景.
中國電科二所第一事業部主任李斌說: '高純SiC粉料是SiC單晶生長的關鍵原材料, 單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設備, 要想生長出高質量的SiC單晶, 在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下, 還需要對生產工藝進行設計, 調試和優化. '
據介紹, 單晶生長爐需要達到高溫, 高真空, 高潔淨度的要求, 目前國內只有兩家能生產單晶生長爐, 中國電科二所是其中之一. 他們突破了大直徑SiC生長的溫場設計, 實現可用於150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空, 低背景漏率生長爐設計製造及小批量生產; 他們還突破了高純SiC粉料中的雜質控制技術, 粒度控制技術, 晶型控制技術等關鍵技術, 實現了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產.
